[发明专利]封装结构、封装件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110060927.4 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN113113382A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 吴俊毅;余振华;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/50;H01L23/538;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在实施例中，一种结构包括：芯衬底；耦合的再分布结构，该再分布结构包括多个再分布层，该多个再分布层包括介电层和金属化层，该再分布结构还包括嵌入在多个再分布层的第一再分布层中的第一局部互连组件，该第一局部互连组件包括导电连接件，该导电连接件接合至第一再分布层的金属化图案，该第一再分布层的介电层密封第一局部互连组件；耦合至再分布结构的第一集成电路管芯；耦合至再分布结构的第二集成电路管芯，该第一局部互连组件的互连结构将第一集成电路管芯电耦合至第二集成电路管芯；以及耦合至芯衬底的第二侧的一组导电连接件。本申请的实施例还涉及封装结构、封装件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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