[发明专利]碳化硅晶片及其加工方法有效
| 申请号： | 202110055105.7 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112809458B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 徐良;朱振佳;蓝文安;占俊杰;刘建哲;余雅俊;夏建白;陈素春 | 申请（专利权）人： | 浙江富芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B7/17;B24B7/22;B24B37/04;B24B37/08;B24B49/16;B24B49/00;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 321000 浙江省金华市婺城区秋*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅晶片及其加工方法，碳化硅晶片的加工方法包括：将清洗分类后的碳化硅晶片进行双面粗磨；将经过双面粗磨后的碳化硅晶片进行双面精磨；将经过双面精磨后的碳化硅晶片进行催化剂辅助化学机械抛光；其中，抛光液为采用第一研磨颗粒、第一分散剂、氧化剂、催化剂、PH调节剂及去离子水形成的酸性胶体；所述研磨颗粒、分散剂、氧化剂、催化剂、PH调节剂及去离子水的质量占比为5～15：2～5：10～20：3～5：5～10：45～75。该加工方法大大缩短了化学机械抛光工艺过程所需要的时间，并获得表面符合平整度要求的碳化硅单晶外延片。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
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