[发明专利]一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养吸管的形成方式在审
| 申请号： | 202110037765.2 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN112877660A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘哲 | 申请（专利权）人： | 西安美丽起点生物科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/20;B05D7/24;B05D1/00 |
| 代理公司： | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人： | 万文会 |
| 地址： | 710004 陕西省西安市经济技术开*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种磁控溅射与化学梯度沉降辅助纳米银包膜在干细胞培养吸管的形成方式，包括以下步骤，a、干细胞培养吸管，消毒处理，经高频振荡清洗；b、干细胞培养吸管稳态放置，去水平条件下的立体最大径，订制银靶，将干细胞培养吸管置入银靶；c、通过电磁溅射，对目标物银靶轰击，在磁控溅射真空室外侧的外靶上860直径0.1cm缠绕铜丝匝，清理真空室，把基底材料(干细胞培养吸管)放置于内靶，封闭真空室，开始对真空室抽真空，真空度为10 |
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| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 化学 梯度 沉降 辅助 纳米 银包 干细胞 培养 吸管 形成 方式 | ||
【主权项】：
暂无信息
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