[发明专利]半导体结构及其形成方法和封装件在审
| 申请号： | 202110025945.9 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113314496A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴俊毅;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H05K1/18 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在实施例中，结构包括：芯衬底；耦接的再分布结构，再分布结构包括多个再分布层，多个再分布层包括介电层和金属化层；第一局部互连组件，嵌入多个再分布层的第一再分布层中，第一局部互连组件包括导电连接件，导电连接件接合至第一再分布层的金属化图案，第一再分布层的介电层密封第一局部互连组件；第一集成电路管芯，耦接至再分布结构；第二集成电路管芯，耦接至再分布结构，第一局部互连组件的互连结构将第一集成电路管芯电耦接至第二集成电路管芯；以及一组导电连接件，耦接至芯衬底的第二侧。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法和封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 封装 | ||
【主权项】：
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