[发明专利]用于确定取样方案的方法、半导体衬底测量设备、光刻设备在审
| 申请号： | 202080037732.1 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113906347A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | P·G·J·斯莫恩伯格;P·萨普塔;K·艾尔巴特;P·德尔温;R·沃克曼;E·詹森;刘贤优;G·萨尔马 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王益 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于确定取样方案的方法，所述方法包括：‑获得与性能参数在半导体衬底的第一部分上的第一空间分布有关的第一指纹模型和与所述性能参数在所述半导体衬底的第二部分上的第二空间分布有关的第二指纹模型；以及‑基于与在所述第一部分上对所述第一指纹模型的估计相关联的第一不确定性指标的期望减小和与在所述第二部分上对所述第二指纹模型的估计相关联的第二不确定性指标的期望减小来确定与所述半导体衬底上的用于产生测量数据的测量部位相对应的取样点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 取样 方案 方法 半导体 衬底 测量 设备 光刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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