[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080018234.2 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN113508468A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;生内俊光;肥塚纯一;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1368;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;梅黎 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置提供。提供一种可靠性高的显示装置。半导体装置包括第一导电层、第一绝缘层、半导体层以及一对第二导电层。第一绝缘层与第一导电层的顶面接触，半导体层与第一绝缘层的顶面接触，一对第二导电层与半导体层的顶面接触，一对第二导电层在与第一导电层重叠的区域分开。半导体层包含铟及氧，在表示铟、元素M及锌的原子个数比的三角图中具有以直线分别依次连接第一坐标(1：0：0)、第二坐标(2：1：0)、第三坐标(14：7：1)、第四坐标(7：2：2)、第五坐标(14：4：21)、第六坐标(2：0：3)、第一坐标的范围内的组成。此外，元素M为镓、铝、钇和锡中的任一个以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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