[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011496717.1 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112652596A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 占迪;刘天建;郭万里 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/495 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，由于至少一个依次堆叠键合在半导体基底上半导体结构中的半导体芯片，外围设置有环绕半导体芯片的绝缘层，且绝缘层中形成有子导热结构，子导热结构用于构成在键合方向上延伸的导热结构，并使导热结构一端与位于半导体基底中的第一金属结构连接，另一端从最外层的绝缘层中延伸出。如此一来，半导体器件内的热量可通过导热结构以导出半导体器件外，以提升半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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