[发明专利]像素装置的负偏置隔离结构有效
申请号: | 202011491300.6 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN113013187B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 渡辺一史;熊志伟;V·瓦乃兹艾;郑荣友;朴根淑;L·A·格朗 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请案针对于像素装置的负偏置隔离结构。在一个实施例中,图像传感器包含安置于半导体衬底中的布置成像素阵列的行及列的多个像素。所述像素阵列的个别光电二极管经配置以通过所述半导体衬底的背侧接收传入光。所述半导体衬底的前侧与所述背侧相对。接近于所述半导体衬底的所述前侧而安置的多个晶体管沿着相应像素的所述光电二极管的外周界布置成行;且多个隔离结构经布置以沿着所述光电二极管的所述外周界以括弧的形式围绕所述晶体管行。多个触点电接触所述多个隔离结构,且所述触点经配置以对所述多个隔离结构进行电压偏置。 | ||
搜索关键词: | 像素 装置 偏置 隔离 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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