[发明专利]提高N型单晶硅片硼扩散的方法有效
| 申请号： | 202011485026.1 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112599410B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 张圳;柳翠;袁晓;杨宁 | 申请（专利权）人： | 上海玻纳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L21/02;H01L31/18;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 李鸿儒 |
| 地址： | 201102 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高N型单晶硅片硼扩散的方法，包括：硅片预处理，将N型单晶硅片依次经NaOH溶液抛光、RCA溶液清洗、HF溶液清洗，为后续处理做准备；亲水性金属氧化物沉积，在清洗完后的N型单晶硅片上沉积10～30nm厚的亲水性金属氧化物；液态硼源旋涂，在亲水性金属氧化物衬底上旋涂液态硼源，并在热台上烘干；以及热处理。亲水金属氧化物涂层一方面在硼扩散过程中阻挡氧气进入硅基底，避免了二氧化硅在衬底表面的生成，几乎消除了硼扩散过程中在表面的偏析和富集现象，减缓了硼在硅表面区域浓度不均匀现象，提高了硼的扩散浓度和深度；另一方面，液态硼源在亲水性的金属氧化物表面可以旋涂更加匀称，很好的改善硅表面扩散完后方阻不均匀的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 单晶硅 扩散 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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