[发明专利]FINFET掺杂结构在审
| 申请号： | 202011456725.3 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112599591A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;吕伟元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：掺杂的半导体材料层，设置在衬底上；未掺杂的半导体材料层，设置在所述掺杂的半导体材料层上，所述未掺杂的半导体材料层包括背离所述衬底的顶面；栅极结构，设置在所述未掺杂的半导体材料层上，所述栅极结构包括栅电极和栅介电层；轻掺杂漏极(LDD)区，设置在所述衬底中并且与所述未掺杂的半导体材料层直接交界；以及侧壁间隔件，沿着所述栅极结构的侧壁设置并且延伸至所述未掺杂的半导体材料层的顶面，使得所述侧壁间隔件物理接触所述未掺杂的半导体材料层的顶面，所述侧壁间隔件设置在所述轻掺杂漏极区的至少部分上。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 掺杂 结构 | ||
【主权项】：
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