[发明专利]一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202011452642.7 | 申请日： | 2020-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN112608471B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 李炳生;卞万朋;王月飞;马剑钢;刘益春 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | C08G73/06 | 分类号： | C08G73/06;C08J5/18;C08L79/04 |
| 代理公司： | 北京市众天律师事务所 11478 | 代理人： | 伏栋 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高结晶质量聚吡咯导电薄膜及其制备方法，包括以下步骤：步骤1、配制质子酸溶液，溶剂使用去离子水；步骤2、称取氧化剂溶解于上述酸溶液中，充分搅拌使其完全溶解；步骤3、取吡咯单体滴入上述溶液中，逐渐可观察到液面有聚吡咯薄膜形成，随着聚合时间的增加，薄膜愈发明显，反应在恒温下进行；步骤4、用洁净的衬底将步骤3生成的薄膜从液面捞出，用去离子水清洗，以除去薄膜表面的反应溶液残留；步骤5、步骤4所得薄膜烘干后即可得到高结晶质量聚吡咯薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结晶 质量 吡咯 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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