[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011451914.1 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112582536B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 张恒;刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H10B63/10 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，先在衬底上形成金属层和存储堆叠层，再通过双重图案化工艺形成多个沟槽和多个独立的存储单元，然后采用解耦等离子体氧化工艺在所述存储单元的侧壁形成黏附增强层，最后在所述黏附增强层的表面形成填充所述沟槽的隔热材料。采用这种解耦等离子体氧化工艺的方式，可以形成致密的氧化层，在保护存储单元的同时可以增强与隔热材料之间的黏附性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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