[发明专利]用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备在审
| 申请号： | 202011362647.0 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN112599401A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 晓东·王;李靖珠;张富宏;马丁·李·瑞克;基思·A·米勒;威廉·弗鲁赫特曼;汪荣军;阿道夫·米勒·艾伦;守印·张;唐先明 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34;H01L21/02;H01L21/203;H01L21/285;H01L21/683;H01L21/768;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 物理 沉积 工艺 控制 离子 分数 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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