[发明专利]ESD器件和包含其的集成电路有效
| 申请号： | 202011361978.2 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112447854B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 方明旭;陈瑜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种ESD器件和包含其的集成电路，该器件包括：衬底，其中形成有环绕设置的STI结构，STI结构环绕的区域为ESD器件的有源区；栅氧，其形成于有源区的衬底上；栅极，其形成于栅氧上；其中，有源区的衬底中形成有阱掺杂区，栅氧两侧的衬底中形成有源区和漏区，源区和漏区形成于阱掺杂区内，源区内形成有源区金属硅化物层，漏区内形成有漏区金属硅化物层，源区金属硅化物层与栅氧不接触，漏区金属硅化物层和栅氧之间形成有STI阻挡层。本申请通过在ESD器件的漏区中设置位于漏区金属硅化物层和栅氧之间STI阻挡层，降低了衬底表面的掺杂离子的浓度，增加了表面电阻，增加了电流路径长度，从而增加了总电阻，进而增强了ESD器件的均匀导通性及鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | esd 器件 包含 集成电路 | ||
【主权项】：
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