[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一基底结构，基底结构自下而上依次包括衬底、底部牺牲层、底部介质层及叠层结构，叠层结构包括在垂直方向上堆叠的多层栅极牺牲层，相邻栅极牺牲层之间设有电介质层；形成垂直沟道结构于基底结构中，垂直沟道结构包括沟道层及环绕于沟道层的存储叠层；形成栅线缝隙于基底结构中；形成侧墙保护层于栅线缝隙的侧壁，侧墙保护层包括至少三层膜层；去除底部牺牲层，得到底部横向缝隙，底部横向缝隙暴露出垂直沟道结构的一部分侧面。本发明采用多层复合膜结构作为栅线缝隙侧壁的保护层，一方面可以更好地保护两侧的叠层结构，另一方面可以极大地减小侧壁保护层的总厚度，扩大工艺窗口。