[发明专利]高压半导体装置在审
| 申请号： | 202011108928.3 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN113380872A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 莫尼卡·巴提;韦维克;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 薛平;吴学锋 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压半导体装置，包括一半导体衬底、第一阱区和第二阱区、以及位于第一阱区与第二阱区之间的隔离结构。其中半导体衬底具有第一导电类型，且第一阱区和第二阱区设置于半导体衬底上和具有不同于第一导电类型的第二导电类型。隔离结构包括具有第一导电类型的第一隔离阱和第二隔离阱于半导体衬底上。一些实施例的隔离结构更包括具有第二导电类型的第三隔离阱，其位于第一隔离阱与第二隔离阱之间。隔离结构还包括第一顶部掺杂区、第二顶部掺杂区和第三顶部掺杂区，分别位于第一隔离阱、第二隔离阱和第三隔离阱中。第一顶部掺杂区和第二顶部掺杂区具有第二导电类型，第三顶部掺杂区具有第一导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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