[发明专利]通过腐蚀自对准工艺实现的碳纳米管晶体管器件制造方法有效
| 申请号： | 202011041499.2 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112259609B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 杨扬;吴云;周建军;霍帅;郁鑫鑫;曹正义;孔月婵;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 陆烨 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种腐蚀自对准工艺实现的碳纳米管晶体管器件制造方法，具体为：1)在衬底上设置碳纳米管薄膜；2)在碳纳米管薄膜上设置一层金属薄膜；3)在金属薄膜上划分出源极区域、漏极区域和沟道区域，并去除以上区域之外的金属薄膜和碳纳米管薄膜；4)在沟道区域上划分出栅极区域；5)对沟道区域进行腐蚀，并在沟道区域和源极金属电极区域之间，以及沟道区域和漏极金属电极区域之间形成间隙，作为栅极和源、漏电极之间的间隔；6)在沟道区域上制备栅介质；7)在栅介质上覆盖栅金属，从而完成碳纳米管FET器件的制备。本发明简化了器件制备步骤，改善了欧姆接触，综合提高了碳纳米管场效应晶体管的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 腐蚀 对准 工艺 实现 纳米 晶体管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011041499.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
