[发明专利]一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件在审
| 申请号： | 202011033887.6 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112141999A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 徐家艳;彭四伟 | 申请（专利权）人： | 地球山（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100102 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件，涉及微电子机械系统技术领域，用于在制造具有悬空结构的MEMS器件时提高刻蚀图形的尺寸精度，提升MEMS器件的品质。所述MEMS器件的制造方法包括：提供一基底，基底上形成有第一牺牲层；去除第一牺牲层位于预定区域内的部分，形成凹槽；预定区域为悬空结构与基底之间的区域；在凹槽内形成第二牺牲层，第二牺牲层的上表面与第一牺牲层的上表面平齐，第二牺牲层的致密性低于第一牺牲层的致密性；在第一牺牲层和第二牺牲层上形成悬空结构层，悬空结构层包括位于第一牺牲层上的支撑结构、以及位于第二牺牲层上的悬空结构；去除第二牺牲层，释放悬空结构。所述MEMS器件的制造方法用于制造具有悬空结构的MEMS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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