[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202011024565.5 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112366264B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张奕;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括衬底、位于衬底上的外延层和位于外延层上的透明导电层，发光二极管芯片还包括N电极和P电极，透明导电层上设有延伸至N型层的通孔，N电极设置在通孔内与N型层欧姆接触，P电极设置在透明导电层的对应P型层的区域上，与P型层欧姆接触，发光二极管芯片还包括设置在透明导电层上的钝化层，钝化层在透明导电层上的正投影位于N电极和P电极在透明导电层上的正投影之外；透明导电层的与钝化层接触的一面上还设有多个凹槽，钝化层位于多个凹槽内，钝化层为SiO |
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| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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