[发明专利]一种掩膜版在审

申请号：	202011019614.6	申请日：	2020-09-25
公开（公告）号：	CN112068396A	公开（公告）日：	2020-12-11
发明（设计）人：	李淑君;祝宏勋;孔施琴;张丽洁	申请（专利权）人：	南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
主分类号：	G03F1/54	分类号：	G03F1/54;G02F1/1337
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	210033 江苏省***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明揭示一种掩膜版，用于光配向技术，其包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，所述拼接曝光区域包括远离所述正常曝光区域的全遮光区域和靠近所述正常曝光区域的部分遮光区域，所述全遮光区域与所述部分遮光区域连接。本发明掩膜版，通过调整拼接曝光区域的形状，使得一半以上的拼接曝光区域由全遮光区域形成，增加了开口率，改善了面板的纵条纹Mura。
搜索关键词：	一种掩膜版
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摘要：本发明提供一种改善PCB曝光干膜碎工艺，包括以下步骤：S1：采用一面菲林为1.5mm的实心圆点，一面菲林为2.7mm的孔环，这样在CCD曝光机上才能识别并对位；S2：在曝光前，靶标菲林位置贴上黄色遮光胶带；S3：显影时，由于在曝光过程中，两面均有实心图形遮光，没有产生光学聚合反应，均可与显影药水反应，全部显影掉，S2中贴黄色遮光胶带时需要使用到辅助装置，辅助装置包括固定柱，固定柱的内部开设有固定腔，固定柱的顶部固定安装有把手，固定腔的内部开设有移动柱。本发明提供的一种改善PCB曝光干膜碎工艺，通过增加干膜靶标遮光工艺，在曝光过程中，靶孔干膜由于遮光，不产生光学聚合反应，全部可以显影掉，从而改善干膜的产生。

掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法-202310002958.3
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摘要：本发明提供一种掩模坯料(100)，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜(2)具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板(1)上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)、式(2)和式(3)所限定的关系，n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)，n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式(2)，n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式(3)。

应用于半导体光刻工艺中的掩膜版及光刻工艺方法-202010109639.9
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申请日： 2020-02-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本发明提供一种应用于半导体光刻工艺中的掩膜版及光刻工艺方法，所述掩膜版包括至少一图形组，每一所述图形组包括至少一透光区和至少一遮挡区，所述透光区和所述遮挡区间隔排列，经过曝光后，每一所述图形组在晶圆上形成一独立标记。本发明的优点在于，根据所述掩膜版在晶圆上形成的独立标记具有与所述掩膜版的图形轮廓形状相同的形状，不会出现图案缺陷，提高了在晶圆上形成的独立标记图形的准确度，进而提高了半导体光刻工艺的对准精度及半导体制程的后续工艺中叠对准确性，提高产品质量和良率。

光掩模坯以及光掩模的制备方法-201710120181.5
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申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G03F1/54
摘要：提供光掩模坯，其包括透明基板和其上设置的遮光膜。该遮光膜由单层或多层构成，该单层或多层包括遮光层，该遮光层含有Si和N，基于Si和N的合计，具有3‑50at％的N含量，不含过渡金属。

相移掩模坯料、相移掩模制造方法及显示装置制造方法-201711295074.2
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摘要：本发明提供一种相移掩模坯料，其具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性，且形成有微细图案，用于显示装置用相移掩模的形成。设置于透明基板上的相移膜具有：第一功能层及第二功能层、配置于两者间的中间层，第一功能层及第二功能层由含有铬、氧、氮的铬系材料构成，铬为30～70原子％，氧为20～60原子％，氮为0.4～30原子％，第一功能层所含的氮的含有率与第二功能层所含的氮的含有率相同或更多，第二功能层所含的氧的含有率比第一功能层所含的氧的含有率多，中间层含有铬和碳，铬的含有率为55～90原子％，碳的含有率为10～45原子％，中间层所含的铬的含有率比第一功能层及第二功能层所含的铬的含有率多。

一种掩膜板-202110031656.X
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申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本申请实施例公开了一种掩膜板，应用于曝光机，所述掩膜板包括遮光层，所述遮光层包括透光图案，所述透光图案包括若干个缝隙，每一所述缝隙至少包括两条相互平行的第一边，以及和两条所述第一边的相同一端连接的第一侧边，所述第一侧边设置有多个凹槽，呈波纹状。通过上述方式，使得在应用时，通过所述凹槽的衍射光叠加不能对光阻产生作用，弧形衍射光叠加区的衍射光能量和线性衍射光叠加区的衍射光能量相当，保证在削弱衍射光叠加现象的同时不影响弧形区域图型的平滑性，实现taper角均匀。

空白掩模、光掩模以及半导体器件的制造方法-202210817413.3
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申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本实施方式涉及空白掩模等，上述空白掩模包括透光基板及位于上述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧及氮中的至少一种。遮光膜表面包括将上述遮光膜表面横纵三等分切割而形成的九个区域。遮光膜表面具有在上述九个区域中分别测量的Rsk值，上述Rsk值的平均值为‑0.64以上且0以下，遮光膜表面具有在上述九个区域中分别测量的Rku值，上述Rku值的平均值为3以下。上述空白掩模等通过在遮光膜的表面适用有效地抑制疑似缺陷形成的遮光膜来在高灵敏度缺陷检查时能够容易地进行缺陷判定。

空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法-202210641897.0
发明人：李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;金泰完;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本发明涉及空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法，所述空白掩模包括透光基板以及配置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种。根据下述式1‑1的遮光膜的SA1值为60mN/m至90mN/m。[式1‑1]SA1＝γSL×tanθ。在上述式1‑1中，所述γSL是所述遮光膜和纯水(pure water)之间的界面能，所述θ是用纯水测量的所述遮光膜的接触角。所述空白掩模等在用清洗溶液清洗遮光膜时具有优异的清洗效果。另外，能够有效地抑制遮光膜被清洗之后残留的清洗溶液损伤。

一种掩模版及其加工方法-202110625910.9
发明人：冯建斌;于春玲 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司;西安福磊德光电科技有限责任公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本发明实施例公开了一种掩模版及其加工方法。该一种掩模版包括掩模版本体；位于掩膜版本体一侧的光学透镜，光学透镜靠近掩膜版本体的一侧设置有凹槽，填充于凹槽内的粘结材料将光学透镜粘贴于掩模版本体一侧；其中，凹槽包括相互连接的底面和侧壁，底面朝向掩膜版本体且其上设置有光吸收层。本发明实施例提供的技术方案可以减少照射在粘结材料上的光，进而降低粘结材料由于光照导致质损的风险，如此，可增加粘结材料的可选择范围，增强粘结材料寿命，降低光学透镜移位甚至脱落的风险。

用于半导体微影制程的光罩及其制造方法、微影方法以及光罩制程-202110848860.0
发明人：陈建诚;李环陵;连大成;陈嘉仁;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G03F1/54
摘要：一种用于半导体微影制程的光罩及其制造方法、微影方法以及光罩制程，用于半导体微影制程的光罩包括基板、设置在基板上的光罩图案及围绕光罩图案的光吸收边界。光吸收边界自基板的至少两个边缘插入以界定光吸收边界之外的周围区域。在一些设计中，第一周围区域自光吸收边界的外周延伸至基板的第一边缘，并且第二周围区域自光吸收边界的外周延伸至基板的第二边缘，其中基板的第一边缘与基板的第二边缘位于光罩图案的相对侧。

掩膜组件以及曝光显影方法-202210612050.X
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申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本申请提供一种掩膜组件以及曝光显影方法，掩膜组件包括至少一个掩膜板，掩膜板具有沿第一方向并排设置的拼接区和非重叠曝光区，掩膜板包括遮挡部和透光部；遮挡部包括位于拼接区的第一遮挡部和位于非重叠曝光区的第二遮挡部，第一遮挡部和第二遮挡部用于遮挡光线；透光部连接于遮挡部并用于曝光显影，透光部包括位于拼接区的第一透光部和位于非重叠曝光区的第二透光部，第一遮挡部位于第一透光部背离非重叠曝光区的一侧，其中，第一透光部的透光率大于零，且小于第二透光部的透光率。本申请提供的掩膜组件能够降低基板上本该被保留的图案被刻蚀掉的风险，降低基板上形成的图案的线宽变细或者断线的风险。

包括遮光层的光掩模及利用其形成图案的方法-201811155357.1
发明人：郑守镜 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本发明提供了一种光掩模和利用所述光掩模形成图案的方法。所述光掩模包括掩模主体，所述掩模主体包括图案区域和外围区域，并且具有第一表面和第二表面。掩模图案设置在与所述掩模主体的第一表面的图案区域重叠的部分上。遮光层设置在所述外围区域中。所述遮光层提供溢出遮光区域，所述溢出遮光区域延伸以与在所述图案区域中需要CD校正的临界尺寸(CD)校正区域重叠。

具有钽基合金吸收体的极紫外掩模-202110835210.2
发明人：许倍诚;连大成;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本公开涉及具有钽基合金吸收体的极紫外掩模。提供了一种极紫外掩模，包括衬底、在衬底上的反射多层堆叠、和在反射多层堆叠上的经图案化的吸收体层。经图案化的吸收体层包括合金，该合金包括钽和至少一种合金元素。该至少一种合金元素包括至少一种过渡金属元素或至少一种第14族元素。

掩模装置及其控制方法-201810939837.0
发明人：马国靖 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本发明提供了一种掩模装置及其控制方法，属于显示技术领域。所述掩模装置包括：掩模板和控制器，掩模板包括多个掩模单元，控制器与每个掩模单元均连接，且每个掩模单元具有透光状态和遮光状态，控制器用于控制掩模单元处于透光状态或遮光状态，以调整掩模装置中的透光区域。本发明解决了掩模装置的工作效率较低的问题。本发明用于对形成显示面板的膜层进行掩模。

光掩模坯料及光掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法-202110307879.4
发明人：安森顺一;浅川敬司;田边胜 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本发明的目的在于提供可以制造遮光膜图案的精度优异、并且具有通过曝光转印图案时可以实现高图案精度的光学特性的光掩模的光掩模坯料。为此，本发明的光掩模坯料是在制作显示装置制造用光掩模时使用的光掩模坯料，其具有：透明基板、和设置于透明基板上的遮光膜，遮光膜从透明基板侧起具备第1反射抑制层、遮光层及第2反射抑制层，第1反射抑制层从透明基板侧起依次具备氧相对于氮的比例相对较少的第1低度氧化铬层、和氧相对于氮的比例相对较多的第1高度氧化铬层，第2反射抑制层从透明基板侧起依次具备氧相对于氮的比例相对较少的第2低度氧化铬层、和氧相对于氮的比例相对较多的第2高度氧化铬层。

掩膜版及滤光片-201911174507.8
发明人：王红光;王菁晶;范刚洪;王群;徐广军 -专利权人：上海仪电显示材料有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G03F1/54
摘要：一种掩膜版及滤光片，其中，所述掩膜版包括：基板；吸收层，位于所述基板上；多个多边形开口，位于所述吸收层内且暴露出所述基板，所述多边形开口具有多个角部，相邻所述多边形开口的其中一个所述角部相对设置。利用本发明实施例提供的掩膜版形成的滤光片上的间隔柱，可以降低相邻间隔柱之间的相连高度，提高间隔柱尺寸的测量准确性。

掩膜板、透镜阵列及其制备方法、显示面板-201710801909.0
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申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G03F1/54
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掩模板-202021857848.3
发明人：周世均;王晓龙;宋海生 -专利权人：上海华力微电子有限公司
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光掩模与修复光掩模的方法-202010349804.8
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掩模板及其使用方法、曝光设备-201810004145.7
发明人：马国靖;徐长健;任锦宇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
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发明人：谢振清 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本发明描述了一种掩膜板、包括上述掩膜板的曝光装置以及使用上述曝光装置制作膜层图案的方法；其中，掩膜板包括：第一掩膜区域，包括若干第一透光区和若干第一遮光区；第二掩膜区域，包括若干第二透光区和若干第二遮光区；第一透光区的实际线宽大于理论线宽；理论线宽等于待制作的膜层相应位置处图案的线宽；本发明可以解决由于扫描曝光方式造成固定区域处图案大小差异的问题。在不引入新的制作步骤，不增加制作成本的同时，改善因为光强差异造成的线宽不均一的问题，不仅提高了产品良率，还保证了显示面板的显示画面的品质。

一种掩膜版-202011019614.6
发明人：李淑君;祝宏勋;孔施琴;张丽洁 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本发明揭示一种掩膜版，用于光配向技术，其包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，所述拼接曝光区域包括远离所述正常曝光区域的全遮光区域和靠近所述正常曝光区域的部分遮光区域，所述全遮光区域与所述部分遮光区域连接。本发明掩膜版，通过调整拼接曝光区域的形状，使得一半以上的拼接曝光区域由全遮光区域形成，增加了开口率，改善了面板的纵条纹Mura。

掩模板及其制备方法、掩模板曝光系统、拼接曝光方法-201810004543.9
发明人：朱宁;缪应蒙;刘德强;高玉杰;穆文凯 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G03F1/54
摘要：本公开提供一种掩模板及其制备方法、掩模板曝光系统、以及拼接曝光方法，涉及半导体技术领域。所述掩模板包括掩模板本体以及位于掩模板本体的拼接曝光区域的紫外光吸收层；所述紫外光吸收层中紫外光吸收材料的含量在拼接曝光区域中沿预设方向递变，以使穿过该拼接曝光区域的紫外光透过率沿预设方向递变；其中，不同含量的紫外光吸收材料对应不同的紫外光透光率。本公开可避免拼接断裂缝的现象并提升拼接处的容错能力。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]一种掩膜版在审

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