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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201980016758.5有效
发明人：宍戸博明;谷口和丈 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F1/34 文献下载
摘要：本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，该蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有80％以上的高透射率，并且可以在透光部中得到5％以上的透射率差。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，相移膜对于波长193nm的光的折射率n1为1.5以上，且对于波长193nm的光的消光系数k1为0.1以下，蚀刻停止膜对于波长193nm的光的折射率n为2.5以上且3.1以下，且对于波长193nm的光的消光系数k2为0.4以下，而且上述折射率n2及消光系数k2满足(条件1)～(条件5)中的1个以上条件。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201980013951.3有效
发明人： 谷口和丈;前田仁;大久保亮 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/34 文献下载
摘要：本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，所述蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有高透射率、并且对于检查光可以得到高对比率。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，对于波长193nm的光的折射率n1为1.5以上，且对于波长193nm的光的消光系数k1为0.1以下，蚀刻停止膜对于波长193nm的光的折射率n2为2.6以上，且对于波长193nm的光的消光系数k2为0.4以下，折射率n2及消光系数k2满足k2≤‑0.188×n2+0.879、及k2＞‑0.188×n2+0.879且k2≤2.75×n2－6.945中的任意条件。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法-CN202310002958.3在审
发明人： 谷口和丈;宍户博明 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模坯料(100)，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜(2)具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板(1)上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)、式(2)和式(3)所限定的关系，n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)，n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式(2)，n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式(3)。
坯料转印用掩模半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法-CN201880016943.X有效
发明人： 谷口和丈;宍户博明 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模坯料(100)，利用由氮化硅系材料形成的单层膜构成的遮光膜(2)具有对于ArF曝光用光的较高的遮光性能，并且能够降低遮光膜的图案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板(1)上具备遮光膜。遮光膜对于ArF曝光用光的光学浓度为3.0以上。遮光膜对于ArF曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)和式(2)中限定的关系。n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式(1)n≧29.316×k2‑92.292×k+72.671···式(2)。
坯料转印用掩模半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料及转印用掩模的制造方法-CN202180019112.X在审
发明人：前田仁;谷口和丈;松井一晃;米丸直人 -专利权人：豪雅株式会社;凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-02-16 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供能够在提高图案分辨率、CD面内均匀性及CD线性的同时抑制硬掩模膜整体的蚀刻速率降低的掩模坯料。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有图案形成用薄膜和硬掩模膜的结构，其中，上述薄膜由含有铬的材料形成，上述硬掩模膜包含下层与上层的层叠结构，上述下层由含有硅和氧的材料形成，上述上层由含有钽和氧、且上述氧的含量为30原子％以上的材料形成，上述上层的厚度相对于上述硬掩模膜整体的厚度的比率为0.7以下。
坯料转印用掩模制造方法

[发明专利]相移掩模半成品、相移掩模制造方法及显示装置的制造方法-CN201610520850.3有效
发明人： 谷口和丈;坪井诚治;牛田正男 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种具有优异的图案截面形状及优异的CD均一性且用于形成有微细图案的显示装置用相移掩模的形成的相移掩模半成品。设置在透明基板上的由铬类材料组成的相移膜具有：相移层；反射率降低层；金属层，其设置在相移层与反射率降低层之间，在350nm～436nm的波长区域内具有比反射率降低层的消光系数更高的消光系数；相移膜对于曝光光的透过率和相位差满足作为相移膜所必需的规定的光学特性，并且相移膜的膜表面反射率在350nm～436nm的波长区域内为10％以下。
相移半成品制造方法显示装置

[发明专利]模具坯、母模具、复制模具和模具坯的制造方法-CN201280047339.6在审
发明人： 谷口和丈;岸本秀司;佐藤孝 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在具有硬掩模层的模具坯中，所述硬掩模层具有包含铬、氮和氧的组成，并具有这样的含有率变化结构：所述氮的含有率在层厚方向上连续性地或者阶段性地变化，而且所述氧的含有率在所述层厚方向上朝与所述氮实质相反的方向连续性地或者阶段性地变化。
模具复制制造方法

[发明专利]功能梯度型无机抗蚀剂、带有功能梯度型无机抗蚀剂的基板、带有功能梯度型无机抗蚀剂的圆筒基材、功能梯度型无机抗蚀剂的形成方法和微细图案形成方法、以及无机抗蚀剂和其制造方法-CN201080029743.1无效
发明人：雨宫勋;中塚荣;谷口和丈;木村生 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2010-07-01 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种功能梯度型无机抗蚀剂，其具有被照射激光的主表面和与上述主表面相向的背面、通过热而变化状态；上述功能梯度型无机抗蚀剂包含单层抗蚀剂；使上述单层抗蚀剂的至少组成从上述主表面侧至上述背面侧连续地变化；上述单层抗蚀剂中，局部被照射激光时达到一定温度的区域的各向异性从上述主表面侧向上述背面侧连续地提高。
功能梯度无机抗蚀剂带有圆筒基材形成方法微细图案以及制造

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