[发明专利]场限环-沟槽负斜角复合终端结构的制备方法有效
| 申请号： | 202011005385.2 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112349768B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 刘雯娇;刘琦;李恩求;李铁生;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/739 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及场限环‑沟槽负斜角复合终端结构及其制备方法，步骤为：制备器件的有源区和终端区，终端区设置至少一个以上的场限环；用掩模版1进行掩蔽曝光，在终端区刻蚀垂直沟槽；用掩模版2进行掩蔽曝光，在终端区进行二次刻蚀，形成负斜角沟槽；在负斜角沟槽区填充氮氧化硅绝缘材料，最后进行背面减薄、镀金及三端电极引出，得到场限环‑沟槽负斜角复合终端结构。本发明适用于功率MOS器件的场限环‑沟槽负斜角复合终端结构，由于工艺简单，高温稳定性好，并且能在芯片面积与击穿电压两者之间取得较好的折衷，因此，该复合终端也可推广到IGBT和IEGT等功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 场限环 沟槽 斜角 复合 终端 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于龙腾半导体股份有限公司，未经龙腾半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011005385.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像处理方法、装置和电子系统
- 下一篇：一种液态气溶胶动态取样检测系统
- 同类专利
- 专利分类
