[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010988634.8 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112103352B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王俊;苟于单;程洋;肖啸;郭银涛;周立 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/0693;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 刘林涛 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明公开的半导体器件包括：隧道结，隧道结包括p型半导体层和n型半导体层。n型半导体层中掺杂有第一导电离子和第二导电离子，第一导电离子的半径小于第二导电离子的半径，第二导电离子的饱和掺杂浓度大于第一导电离子的饱和掺杂浓度。本发明的半导体器件中n型半导体层的第一导电离子的半径小于第二导电离子的半径，第二导电离子的饱和掺杂浓度大于第一导电离子的饱和掺杂浓度，采用第一导电离子和第二导电离子共掺杂的方式，可以有效的提高总掺杂浓度，并且不易发生晶格失配，进而可实现较高的隧穿峰值电流，可满足较高的隧穿电流需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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