[发明专利]一种集成静电放电保护二极管的半导体功率器件在审
| 申请号： | 202010913672.7 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112038407A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 黄英杰;顾南雁 | 申请（专利权）人： | 深圳市迪浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改进的集成有ESD箝位二极管的沟槽式半导体功率器件，对ESD箝位二极管总周长进行了优化，其中所述的ESD箝位二极管包括由交替排列的第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的掺杂区组成的多个背靠背的齐纳二极管，其中ESD箝位二极管的阳极连接至有源区内的沟槽栅，以降低栅电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 静电 放电 保护 二极管 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市迪浦电子有限公司，未经深圳市迪浦电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010913672.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
