“顾南雁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种多节锂电池保护系统-CN202110328255.0在审
发明人：黄英杰;顾南雁;詹易琳 -专利权人：深圳市迪浦电子有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了多节锂电池保护系统，包括N节锂电池、温度采集模块、控制模块和检测模块，每节锂电池、每个控制模块与每个温度采集模块一一对应连接，控制模块与N节锂电池、温度采集模块连接，检测模块包括N个输入端口的过压检测单元、过温检测单元和过流检测单元，控制模块包括N个连接在每节锂电池两端的主控芯片，每个主控芯片分别与过压检测单元、过温检测单元和过流检测单元对应的输入端口连接，N为大于等于3的整数，控制模块用于对锂电池进行实时信号收集并输出对应的电信号至检测模块，检测模块接收电信号进行处理，简化了电路设计，适用性强，可以有效解提高锂电池在充放电路中的工作稳定性。
一种锂电池保护系统

[实用新型]一种小型芯片的封装结构-CN202021801242.8有效
发明人：郑金胜;尹春辉;顾南雁 -专利权人：深圳市迪浦电子有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种小型芯片的封装结构，包括：芯片、基板和封装体，所述芯片数量为两个以上，所述芯片依次设置于所述基板上；所述基板为柔性基板，且所述基板螺旋设置在所述封装体内；所述封装体设有连接柱，所述连接柱一端与所述基板连接，另一端延伸出所述封装体。通过将芯片设置在长方形的柔性基板上，使得各芯片所占的体积能够随着柔性基板的形状变化而较小，通过在柔性基板面上设计电路将个芯片进行连接，并在柔性基板的侧边将各芯片连接的总路引出。再将布置有芯片的柔性基板卷成螺旋形进行封装，并将柔性基板侧边的总路引出至封装体外部，从而充分减小芯片封装结构的体积。
一种小型芯片封装结构

[实用新型]一种可组合芯片封装结构-CN202021801936.1有效
发明人：邓海峰;顾南雁;杨东霓 -专利权人：深圳市迪浦电子有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可组合芯片封装结构，包括：基板、第一芯片和第二芯片，所述基板包括第一安装槽、位于所述第一安装槽相对侧的第二安装槽以及位于所述第一安装槽和所述第二安装槽内的连通孔；所述第一芯片位于所述第一安装槽内，所述第二芯片位于所述第二安装槽内，其中，两个所述第一芯片分别通过所述连通孔与所述第二芯片电连接。通过在基板的两侧分别设置与第一芯片和第二芯片相适配的凹槽，并将所述第一芯片和第二芯片分别放置在两个朝向相反的凹槽内，从而在高度和长度方向上的尺寸均有所减小，使得芯片封装结构能够小型化。
一种组合芯片封装结构

[发明专利]一种集成静电放电保护二极管的半导体功率器件-CN202010913672.7在审
发明人：黄英杰;顾南雁 -专利权人：深圳市迪浦电子有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的集成有ESD箝位二极管的沟槽式半导体功率器件，对ESD箝位二极管总周长进行了优化，其中所述的ESD箝位二极管包括由交替排列的第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的掺杂区组成的多个背靠背的齐纳二极管，其中ESD箝位二极管的阳极连接至有源区内的沟槽栅，以降低栅电阻。
一种集成静电放电保护二极管半导体功率器件

[发明专利]一种高灵敏度霍尔传感器及其制造方法-CN202010865346.3在审
发明人： 顾南雁;胡慧雄;李龙;赵成政;郑哲 -专利权人：东莞市金誉半导体有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明属于霍尔传感器技术领域，涉及一种高灵敏度霍尔传感器及其制造方法，该霍尔传感器包括衬底、有源层、隔离层和四个电极层；有源层设置于衬底上，隔离层和四个电极层均设置于有源层上，且所有电极层分散设置于隔离层的外围；隔离层包括层叠设置的第一层和第二层，第一层设置于有源层和第二层之间；第一层掺杂有第一离子，第二层掺杂有第二离子，且第一离子的注入能量大于第二离子的注入能量，第一离子的注入剂量小于第二离子的注入剂量。该高灵敏度霍尔传感器及其制造方法提供的技术方案能够保证霍尔传感器的等效内阻不会增大，以提升该霍尔传感器的灵敏度。总之，该霍尔传感器具有结构简单、稳定性高、灵敏度高的特点。
一种灵敏度霍尔传感器及其制造方法

[实用新型]一种具有浮空层分裂栅的MOSFET-CN201720169279.5有效
发明人：杨东霓;胡慧雄;顾南雁 -专利权人：深圳市迪浦电子有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有浮空层分裂栅的MOSFET，包括N+衬底层，N+衬底层上设有N‑外延层，N‑外延层的中间和两侧分别设置有P‑body层，P‑body层的左右两侧分别设置有第一Trench槽和第二Trench槽，两Trench槽之间为不连续的P‑body层，两Trench槽贯穿P‑body层至N‑外延层上部；每一Trench槽内均充满SiO2层，SiO2层中设有两不连续的Poly结构；每一Trench槽口外侧在P‑body层中围有一圈N‑阱；P‑body层上设有Metal层；两Trench槽内的SiO2满出至Metal层；在N‑外延层中，对应每一Trench槽下方设置有P型浮空层，两P型浮空层不连续。本实用新型通过P型浮空层的引入大大优化了传统split‑gate的内部电场在不需要外mask下优化split‑gate，进一步减小split‑gate的Rsp，提高了split‑gate的击穿电压，获得了良好的静电保护效果。
一种具有浮空层分裂 mosfet

[发明专利]一种具有浮空层分裂栅的MOSFET-CN201710100069.5在审
发明人：杨东霓;胡慧雄;顾南雁 -专利权人：深圳市迪浦电子有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有浮空层分裂栅的MOSFET，包括N+衬底层，N+衬底层上设有N‑外延层，N‑外延层的中间和两侧分别设置有P‑body层，P‑body层的左右两侧分别设置有第一Trench槽和第二Trench槽，两Trench槽之间为不连续的P‑body层，两Trench槽贯穿P‑body层至N‑外延层上部；每一Trench槽内均充满SiO2层，SiO2层中设有两不连续的Poly结构；每一Trench槽口外侧在P‑body层中围有一圈N‑阱；P‑body层上设有Metal层；两Trench槽内的SiO2满出至Metal层；在N‑外延层中，对应每一Trench槽下方设置有P型浮空层，两P型浮空层不连续。本发明通过P型浮空层的引入大大优化了传统split‑gate的内部电场在不需要外mask下优化split‑gate，进一步减小split‑gate的Rsp，提高了split‑gate的击穿电压，获得了良好的静电保护效果。
一种具有浮空层分裂 mosfet

[发明专利]提高芯片转发性能的方法及装置-CN201310021553.0有效
发明人：杨东霓;胡慧雄;顾南雁 -专利权人：深圳市迪浦电子有限公司
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H04L12/741 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高芯片转发性能的方法及装置，其中方法包括当芯片接收到报文时，判断该报文是否是需要处理的协议报文，如果是，进行MAC学习，否则，根据该芯片当前的实际时间值以及预定经验值进行计算后确定是否进行学习；装置包括第一判断模块和第二判断模块；本发明可以再相当程度上减轻芯片的MAC学习强度，从而提高了芯片的转发性能。
提高芯片转发性能方法装置

[发明专利]一种开关型单节锂电池充电和升压放电控制芯片-CN201310289106.3有效
发明人： 顾南雁;张堂强;胡慧雄;杨东霓 -专利权人：深圳市金誉半导体有限公司
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关型单节锂电池充电和升压放电控制芯片，包括控制逻辑模块、输入检测模块、时钟电路模块、短路检测模块、过流检测模块、充电检测模块，所述控制逻辑模块与所述输入检测模块电连接，所述时钟电路模块与所述控制逻辑模块电连接，所述短路检测模块与所述控制逻辑模块电连接，所述过流检测模块与所述控制逻辑模块电连接，所述电检测模块与所述控制逻辑模块电连接，所述充电检测模块与所述时钟电路模块电连接，本发明的有益效果在于：充电电压精度高、多功能、充电效果佳、有过流、过压及短路保护功能、使用寿命长。
一种开关型单节锂电池充电升压放电控制芯片

[实用新型]上芯机-CN201220140153.2有效
发明人：余登华;凌浩;顾南雁 -专利权人：深圳市金誉半导体有限公司
申请日： 2012-04-05 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种上芯机，包括机架、控制箱、晶圆台、送料槽、上料器、下料器、机械臂、图像采集装置，所述机架下方固定有控制箱，所述机架上方安装有晶圆台和送料槽，所述送料槽两端分别连接有上料器和下料器，所述送料槽上方设有一机械臂，所述机械臂上方设有一图像采集装置。本实用新型结构简单、生产效率高。
上芯机

[实用新型]芯片推力测试仪-CN201220140110.4有效
发明人：余登华;卢良军;顾南雁 -专利权人：深圳市金誉半导体有限公司
申请日： 2012-04-05 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种芯片推力测试仪，涉及芯片检测技术领域，包括底架、升降装置、电子推力测量仪、待测量产品安装支座、待测量产品夹具，所述底座左侧上方安装有一待测量产品安装支座，所述待测量产品安装支座上方设有一待测量产品夹具，所述底座右侧上方安装有升降装置，升降装置上方设有一电子推力测量仪。本实用新型的有益效果在于：结构简单、检测准确、检测效率高。
芯片推力测试仪

1
共 11 条