[发明专利]一种低压大电流Mosfet功率芯片有效
| 申请号： | 202010832112.9 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN112133680B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 刘本强;陈翔 | 申请（专利权）人： | 山东汉旗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L25/065 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子元件领域，尤其涉及一种低压大电流Mosfet功率芯片，其包括基板和引脚线，基板内嵌设用于基础运算第一晶圆组和用于辅助基础运算、辅助温控运算、辅助资源配置运算的第二晶圆组，第一晶圆组/第二晶圆组分别设置在基板的两侧，第一晶圆组的外侧设置第一散热层，第一晶圆组与第一散热层之间设置第一保护层，第二晶圆组的外侧设置第二散热层，第二晶圆组与第二散热层之间设置第二保护层，第一晶圆组的引脚线穿过第二晶圆组并在第二晶圆组相应引脚位置连接，所述的第一晶圆组外周设置第一导热通道，所述的第二晶圆组外周设置第二导热通道。本发明尤其关注并解决低压大电流Mosfet功率芯片的散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 电流 mosfet 功率 芯片 | ||
【主权项】：
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