[发明专利]用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法有效
| 申请号： | 202010770895.2 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112592719B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张轶;刘世光;谭振;刘震宇;孙浩 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C09K13/04 | 分类号： | C09K13/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 罗丹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法。用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液，包括：作为溶剂的水H2O、以及溶于所述H2O的溶质，溶质包括碘化钠NaI和氯化氢HCl。采用本发明，腐蚀液可以与CdTe在常温下发生化学反应，实现对碲镉汞表面的CdTe薄膜的常温腐蚀，整个反应过程速率慢、且无发热，可以实现对腐蚀度的精确控制，腐蚀液的配置简单且成分便宜、容易获取，大大降低了腐蚀成本，而且腐蚀后也容易清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 腐蚀 碲镉汞 表面 碲化镉 cdte 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十一研究所，未经中国电子科技集团公司第十一研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010770895.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 含钌催化剂的刻蚀液、改性和回收方法-202310477420.8
- 田博元;邓占锋;徐桂芝;胡晓;杨岚;邓佳瑶;王一诺;杜兆龙;周旻;高博 - 北京智慧能源研究院;国网浙江省电力有限公司;国网浙江省电力有限公司嘉兴供电公司
- 2023-04-27 - 2023-07-21 - C09K13/04
- 含钌催化剂的刻蚀液、改性和回收方法，该刻蚀液同时具有酸性和配位能力；所述酸性的特性能够与氧化钌、钌氢氧化合物、钌酸盐反应生成离子；所述配位的特性能够对包括三价、四价钌离子进行配位，形成稳定的络合离子，使得化学平衡向钌元素溶解向移动，促进钌的部分乃至全部解离.本发明用于表面改性时可以降低催化剂的粒径，增加比表面积，从而提升贵金属利用率；刻蚀液对表面原子具有重构效应，解决活性位点少的问题；刻蚀液去除掉贵金属氧化物中化学稳定性差的部分，提升催化剂长时间运行稳定性；能够将氧化钌及其他含钌催化剂以溶液形式溶剂，从而将昂贵的钌进行回收。
- 湿法蚀刻溶液组合物、玻璃的湿法蚀刻方法和通过湿法蚀刻方法获得的图案化玻璃-202180034268.5
- 李相老;五十岚克史 - 李相老;五十岚克史
- 2021-10-19 - 2023-06-23 - C09K13/04
- 根据本公开的湿法蚀刻方法包括清洗玻璃、通过对清洗后的玻璃进行湿法蚀刻以形成纳米级图案、以及清洗并干燥纳米图案化玻璃，其中在湿法蚀刻中使用的湿法蚀刻溶液包含氢氟酸和表面活性剂。根据本公开，可以提供具有高透射率/低反射率的玻璃。该玻璃可以应用于光学设备和包括移动设备的显示器。
- 一种抑制二氧化硅蚀刻的无C蚀刻液-202210790401.6
- 冯凯;叶瑞;贺兆波;杜程;崔会东;王书萍;冯帆;班昌胜;张庭;徐子豪;姜飞 - 湖北兴福电子材料股份有限公司
- 2022-07-06 - 2023-06-09 - C09K13/04
- 本发明公开了一种抑制二氧化硅蚀刻的无C蚀刻液，其主要成分包括无机酸、氯硅烷、预溶剂和水组成，本发明的蚀刻液可通过抑制二氧化硅的蚀刻速率提高氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，提高蚀刻液的高温稳定性，避免有机胶质残留在晶圆上。
- 酸性微蚀试剂及金属引线的处理方法-202011481691.3
- 牛洪岭;王宝;孟玉清;冯聪聪;李军 - 河北中瓷电子科技股份有限公司
- 2020-12-15 - 2022-08-05 - C09K13/04
- 本发明涉及金属引线处理技术领域，尤其涉及一种酸性微蚀试剂及金属引线的处理方法。该酸性微蚀试剂含有40～60g/L的铁氰化钾、80～120g/L的盐酸、40～60g/L的硝酸、250～350g/L的氯化氨、25g/L的氯化铜和60g/L的硫酸，溶剂为水，能够使金属引线表面形成凹凸覆盖面，从而使金属引线能够通过碱性溶液和酸性溶液处理而形成腐蚀坑，增强金属引线与塑料的结合紧密度。该酸性微蚀试剂能够用于对金属引线表面进行粗糙化刻蚀处理，也可用于对金属引线表面致孔处理。
- 用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法-202010770895.2
- 张轶;刘世光;谭振;刘震宇;孙浩 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
- 2020-08-04 - 2022-06-28 - C09K13/04
- 本发明公开了一种用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法。用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液，包括：作为溶剂的水H2O、以及溶于所述H2O的溶质，溶质包括碘化钠NaI和氯化氢HCl。采用本发明，腐蚀液可以与CdTe在常温下发生化学反应，实现对碲镉汞表面的CdTe薄膜的常温腐蚀，整个反应过程速率慢、且无发热，可以实现对腐蚀度的精确控制，腐蚀液的配置简单且成分便宜、容易获取，大大降低了腐蚀成本，而且腐蚀后也容易清洗。
- 湿式蚀刻组合物及方法-202080071601.5
- 金榮玟;M·怀特;D·怀特;E·I·库珀;S·M·比洛迪奥 - 恩特格里斯公司
- 2020-10-08 - 2022-06-24 - C09K13/04
- 本发明提供一种用于改良氮化物蚀刻相对于氧化物蚀刻的选择性的组合物及方法且可与常规磷酸湿式蚀刻组合物一起使用。本发明描述用于抑制硅、氧化物及相关化合物再生长(即再沉积)于氧化硅表面上的添加剂。在某些实施例中，本发明提供结合到三烷氧基硅烷的某些经氨基取代的芳基化合物。
- 一种用于红外探测器小孔腐蚀的腐蚀液及方法-202110692055.3
- 黄立;李胜利;马占锋;高健飞;黄晟;罗学强 - 武汉高芯科技有限公司
- 2021-06-22 - 2022-05-31 - C09K13/04
- 本发明提供了一种用于红外探测器小孔腐蚀的腐蚀液，包括作为溶剂的水，以及溶于水中的溶质，所述溶质包括盐酸、醋酸和氯化锌。另外，本发明还提供了红外探测器小孔腐蚀方法，包括在衬底牺牲层上沉积硫化锌层，作为增透膜；在硫化锌层上沉积非晶硅层，作为红外透过层和硫化锌湿法腐蚀的硬掩模版；对非晶硅层进行光刻、干法刻蚀和去胶，得到释放孔前驱体；用上述腐蚀液对硫化锌层进行单片式湿法腐蚀，得到所需要的小孔。该发明以盐酸作为腐蚀剂，并在盐酸中引入水、醋酸和氯化锌分别作为稀释剂、缓冲剂和保护剂，有效避免了硫化锌湿法腐蚀过程中的浮胶现象，显著改善了硫化锌侧向钻蚀严重的问题，解决了微尺寸孔湿法腐蚀的难题。
- 一种磷化铟减薄腐蚀液及其应用-202210034280.2
- 邢峥;李海淼 - 北京通美晶体技术股份有限公司
- 2022-01-13 - 2022-05-27 - C09K13/04
- 本申请涉及磷化铟晶片加工领域，具体公开了一种磷化铟减薄腐蚀液及其应用，所述磷化铟减薄腐蚀液包括如下重量份的原料：酸溶液6‑12份、氧化剂2‑6份、去离子水1‑6份；所述酸溶液由盐酸、硫酸制得，其添加的重量份如下：盐酸10‑15份、硫酸2‑6份；所述氧化剂由双氧水、高锰酸钾和重铬酸钾制得，其添加的重量份如下：双氧水15‑20份、高锰酸钾4‑8份、重铬酸钾4‑6份；本申请的磷化铟减薄腐蚀液具有提高晶片的研磨效率、保护晶片研磨面的效果。
- 蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法-201711188427.9
- 李轸雨;金建伶;韩勋;林廷训;李珍旭;朴宰完 - 三星电子株式会社;秀博瑞殷株式公社
- 2017-11-24 - 2022-02-18 - C09K13/04
- 本发明涉及蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法。蚀刻剂组合物包括无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物和溶剂，其中所述硅氧烷化合物由通式(I)表示。制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成结构体，所述结构体具有氧化物膜和氮化物膜暴露于其上的表面；和通过使所述蚀刻剂组合物与所述结构体接触而从所述氧化物膜和所述氮化物膜选择性地除去所述氮化物膜。
- 用于氧化铟层的蚀刻剂组合物-201910679544.8
- 金泰完;安基熏;李昔准 - 东友精细化工有限公司
- 2016-02-04 - 2022-01-14 - C09K13/04
- 公开了用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物，蚀刻方法，使用它们的液晶显示器阵列基板及其制造方法，所述蚀刻剂组合物包括硝酸或亚硝酸、氯化合物、硝酸盐化合物和水。
- 一种腐蚀液及芯片台面的制备方法-201911032371.7
- 邹颜;杨彦伟;刘宏亮;陆一锋 - 芯思杰技术（深圳）股份有限公司
- 2019-10-28 - 2021-12-14 - C09K13/04
- 本发明提供一种腐蚀液及芯片台面的制备方法，涉及半导体芯片制备领域。腐蚀液，包括：溶剂和溶于所述溶剂中的重铬酸盐和卤酸。利用该腐蚀液能够解决现有芯片采用IPC干法刻蚀造成的刻蚀速率不均、刻蚀表面粗糙且刻蚀成本高的问题，使刻蚀速率更均匀，降低刻蚀成本，提高表面刻蚀质量的效果。
- 玻璃蒙砂液及其制备方法和应用-202010035539.6
- 王世军;陈建章;彭晓林;丁雄风;刘满生 - 维达力实业（赤壁）有限公司
- 2020-01-14 - 2021-12-10 - C09K13/04
- 本发明涉及一种玻璃蒙砂液及其制备方法和应用。该玻璃蒙砂液的制备方法包括以下步骤：熔融金属盐，得到熔盐；向熔盐中加入特定比例的磷酸盐、无机碱、碱性助剂和吸附剂，得到玻璃蒙砂液；其中，金属盐选自硝酸钾、硝酸钠和氯化钠中的至少一种，吸附剂选自硅藻土和氧化铝中的至少一种。本发明先熔融金属盐，得到熔盐；再向熔盐中添加特定比例的无机碱、碱性助剂，利用碱与玻璃中的SiO
- 胶体二氧化硅生长抑制剂以及相关的方法和系统-201780026802.1
- 安东尼奥·L·P·罗通达龙;华莱士·P·普林茨 - 东京毅力科创株式会社
- 2017-03-24 - 2021-04-27 - C09K13/04
- 描述了抑制胶体二氧化硅沉积物在磷酸中处理的表面上生长的技术。在一个实施方案中，所公开的技术包括使用胶体二氧化硅生长抑制剂作为用于氮化硅蚀刻的磷酸溶液中的添加剂。在一些实施方案中，所述添加剂可以具有可以含有强阴离子基团的化学品。提供了这样的方法和装置：其监测在处理期间磷酸溶液中的二氧化硅浓度和/或胶体二氧化硅生长抑制剂浓度，并根据需要调节这些组分的量。提供了用于控制磷酸溶液中待使用的添加剂浓度以及二氧化硅浓度的方法和装置的技术。本文所述的技术提供了相对于二氧化硅的高选择性氮化硅蚀刻，而不使胶体二氧化硅沉积物在暴露的表面上生长。
- 一种LED芯片粗化液及其制备方法与应用-202011541592.X
- 侯军;李传强 - 江苏奥首材料科技有限公司
- 2020-12-23 - 2021-04-20 - C09K13/04
- 一种LED芯片粗化液及其制备方法与应用，其属于半导体材料多元金属化合物表面粗化领域。该粗化液包括无机酸、有机酸、多胺化合物、氧化剂、润湿剂等；通过添加高稳定性和低表面张力的全氟化表面活性剂，有效降低粗化界面张力，使粗化产物和气泡快速离开反应界面，促进粗化界面处于均一状态，有效解决了粗化表面深浅不均问题，提升粗化绒面质量，有效增加光出率，从而提升LED发光强度。该粗化液能够在常温条件下对LED芯片进行表面微图形化，形成凹凸粗糙表面。采用该粗化剂进行腐蚀，易于操作，成本较低，反应条件为常温易于控制，可适用于工业化生产。
- 蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法-202010908291.X
- 金喆禹;李光国;郭宰熏;金荣汎;辛姃河;李宗昊;赵珍耿 - SK新技术株式会社;爱思开新材料有限公司
- 2020-09-02 - 2021-03-05 - C09K13/04
- 蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法。一种蚀刻组合物，其包括磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物和由以下式1表示的铵盐：[式1]
- 一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液及加工方法-201910380297.1
- 时康;胡慧勤;郭赛 - 厦门大学
- 2019-05-08 - 2020-11-20 - C09K13/04
- 本发明公开了一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液及加工方法，采用纯水由如下原料按摩尔浓度配成：5‑40mM过一硫酸氢钾复合盐(K
- 蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法-201810730527.8
- 柳灏成;李浚银;张平和;金容逸;朴镇 - OCI有限公司
- 2018-07-05 - 2020-09-04 - C09K13/04
- 本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法，更详细地涉及包含使氧化膜的蚀刻率最小化并可选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物及包括利用该蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制造方法：化学式1：
- 蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法-202010013430.2
- 金贞儿;金荣灿;李晓山;韩勋;李珍旭;林廷训;金益熙 - 三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社
- 2020-01-07 - 2020-07-14 - C09K13/04
- 本申请公开了蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法，所述组合物包含：无机酸；约0.01重量份至约0.5重量份的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的所述无机酸。
- 一种用于氧化锆陶瓷3D抛光的抛光液及其制备方法-201711376011.X
- 裴亚利;张忆;程彦芬;操应军 - 北京航天赛德科技发展有限公司
- 2017-12-19 - 2020-05-22 - C09K13/04
- 本发明公开了一种用于氧化锆陶瓷3D抛光的抛光液及其制备方法,所述抛光液包括如下重量百分含量的组分：二氧化硅胶体10‑50％、分散剂0.01‑0.5％、抗结晶剂0.1‑2％、缓蚀剂0.01‑0.2％、表面活性剂0.01‑0.5％、消泡剂0.01‑0.5％、适量pH调节剂调节pH值在8.5‑11.5，余量为去离子水；其中，二氧化硅胶体粒径为40‑150nm。本发明的抛光液适合利用具有软质刷头的3D扫光机对氧化锆陶瓷3D的曲面或薄片进行抛光，抛光液的粘度值较高，在10‑15cp(厘泊)，可以很好地附着在3D扫光机上盘的软质刷头上，增加与被抛光氧化锆陶瓷的摩擦几率，抛光效率高，氧化锆陶瓷表面通透没有出现发雾状况，表面质量缺陷率极低，从而带来理想的抛光结果。
- 金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法-201410478206.5
- 大和田拓央;清水寿和 - 关东化学株式会社
- 2014-09-18 - 2020-04-21 - C09K13/04
- 本发明提供用于对作为半导体元件和平板显示器(FPD)等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行蚀刻的蚀刻液组合物，其中，可控制为具实用性的蚀刻速度，且Zn的溶解性高，使用中的组成变化少，因此可使蚀刻液的使用寿命长。可对作为半导体元件和FPD等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行微细加工，包含至少1种除氢卤酸和高卤酸等以外的某一解离阶段的25℃的酸解离常数pKa
- 一种适用于光刻工艺铜制程的无氟酸性刻蚀液及配制方法-201910309436.1
- 李潇逸;邢攸美;方伟华;尹云舰;李欢;洪明卫 - 杭州格林达电子材料股份有限公司
- 2019-04-17 - 2019-08-09 - C09K13/04
- 本发明涉及一种适用于光刻工艺铜制程的无氟酸性刻蚀液及配制方法，其特征在于，包括1‑20％重量份的无机酸，5‑25％重量份的过氧化氢，0.1‑5％重量份的环状胺类化合物，0.1‑10％重量份的氨基酸类化合物，1‑5％重量份的无机磷酸盐类及剩余组分的纯水，上述各组分重量份总和为100％重量份。本发明所配制适用于光刻工艺铜制程的无氟酸性刻蚀液主要应用于厚度达到
或以上的铜膜层刻蚀工艺，其刻蚀均匀性好、侧向刻蚀角度小、无金属离子残留、无铜膜层残留、无氟环境友好绿色环保。
- 一种用于制备微孔铜箔的化学腐蚀剂-201810724600.0
- 王宥宏;刘忆恩 - 山西沃特海默新材料科技股份有限公司
- 2018-07-04 - 2018-12-11 - C09K13/04
- 本发明公开了一种用于制备微孔铜箔的化学腐蚀剂，属于锂电池负极材料制备技术领域；所要解决的技术问题是：提供一种制备高性能微孔铜箔的化学腐蚀剂，采用的方案为：腐蚀剂包括如下摩尔浓度的溶液：0.5‑1.5mol/L的HCl，0.5‑2mol/L的C2H2O4，0.1‑0.5mol/L的NH4Cl，0.1‑1mol/L的FeCl3，所述的腐蚀剂还包括如下摩尔浓度的溶液：0.5‑1.5mol/L的HgCl2，所述的腐蚀剂还包括如下摩尔浓度的溶液：0.1‑0.5mol/L AgCl2；本发明可广泛的应用到微孔铜箔制备技术领域中。
- 用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物-201310656389.0
- 金童基;田玹守;郑敬燮 - 东友精细化工有限公司
- 2013-12-06 - 2018-07-20 - C09K13/04
- 本发明公开一种用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物。所述用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物包括硝酸、盐酸、无机酸盐和水，所述组合物能够快速且均匀地蚀刻所述金属氧化物层（透明的氧化物半导体），且制备简单、容易控制。
- ITO刻蚀液配制系统-201610794355.1
- 李虎宝;朱祥龙;殷泼清;李冬明;殷金虎 - 江阴市化学试剂厂有限公司
- 2016-08-31 - 2016-12-21 - C09K13/04
- 本发明涉及一种ITO刻蚀液配制系统，其特征是：包括混配罐、溶解桶和抽料循环泵，混配罐的顶部设有第一进料口，溶解桶的出料口通过抽料管连接混配罐顶部的第二进料口，抽料循环泵的一端通过第一管道连接混配罐的底部，抽料循环泵的出料端分别连接混配罐的第二进料口和第二管道，第二管道的输出端连接过滤灌装设备，在抽料循环泵的出料端设置取样支路，在取样支路上设置取样阀。在所述混配罐的顶部和第二管道的输出端之间连接回流管道，回流管道上设置调节阀。在所述混配罐的中部连接第三管道，第三管道分别连接抽料循环泵的出料端管道和溶解桶。在所述溶解桶的底部安装称重秤。本发明自动化程度高，混配效果好，保证产品精度。
- 用于氮化钛层的蚀刻剂组合物及使用其形成金属线的方法-201610111879.6
- 洪亨杓;梁振锡;洪宪杓;金相泰;李京浩 - 东友精细化工有限公司
- 2016-02-29 - 2016-09-14 - C09K13/04
- 本发明提供用于TiN层的蚀刻剂组合物和使用所述蚀刻剂组合物形成金属线的方法，所述蚀刻剂组合物包括(A)以重量计75％‑95％的选自硫酸和烷基磺酸中的至少一种化合物、(B)以重量计0.3％‑10％的过氧化物、(C)以重量计0.0001％‑3％的无机铵盐以及(D)余量的水。
- 用于氧化铟层的蚀刻剂组合物，蚀刻方法，使用它们的液晶显示器阵列基板及其制造方法-201610079267.3
- 金泰完;安基熏;李昔准 - 东友精细化工有限公司
- 2016-02-04 - 2016-08-31 - C09K13/04
- 公开了用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物，蚀刻方法，使用它们的液晶显示器阵列基板及其制造方法，所述蚀刻剂组合物包括硝酸或亚硝酸、氯化合物、硝酸盐化合物和水。
- 用于对绝缘塑料表面进行金属化的方法-201380063675.4
- 莱奥纳斯·纳鲁斯克维丘什;达纳斯·布迪洛夫斯基斯;奥纳·吉列内;洛雷塔·塔马绍斯凯特·塔马休奈特 - 埃托特克德国有限公司
- 2013-12-06 - 2015-08-19 - C09K13/04
- 本发明涉及使用不含六价铬的蚀刻溶液对绝缘塑料进行金属化的方法。所述蚀刻溶液基于包含氯酸根离子源和钒化合物的硫酸溶液。在利用所述蚀刻溶液对塑料进行处理后，利用已知方法将塑料金属化。
- Ⅲ-Ⅴ半导体材料非选择性湿法腐蚀液及制备方法与应用-201410597345.X
- 郑贵忠;张杨;陈升阳;李威;杨翠柏;王智勇;吴步宁 - 瑞德兴阳新能源技术有限公司
- 2014-10-30 - 2015-03-04 - C09K13/04
- 本发明公开了一种Ⅲ-Ⅴ半导体材料非选择性湿法腐蚀液及制备方法与应用，该腐蚀液中各组成成份的重量百分比为：4％-8％重铬酸钾、18％-51％浓盐酸、36％-66％磷酸、8％-9％去离子水，通过该腐蚀液可实现以GaAs体系、InP体系、Ⅲ-Ⅴ族所组合而成的单质、二元、三元、四元等为代表多元化合物材料的非选择性湿法腐蚀，同时也可实现对Ge衬底、Au/Ag/AuGeNi等金属材料的非选择性湿法腐蚀，该腐蚀配方不受外延参杂浓度的影响。本发明所述腐蚀液只需一道光刻保护即可完成，腐蚀偏差可控制在±4％以内，优于同类干法刻蚀工艺，且工艺简单、稳定、易行、物料成本低，适用于工业生产和实验室使用。
- 用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏-201310206813.1
- 黄耿芳;王为华 - 三治光电科技股份有限公司
- 2013-05-29 - 2014-08-06 - C09K13/04
- 一种用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏包含酸以及25wt%至45wt%的硅酸盐系黏土矿物。该酸包括至少一种由下列群组所组成的无机酸：磷酸、盐酸、硫酸及硝酸。该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65μm至8μm。本发明通过使用硅酸盐系黏土矿物及含量与粒径的搭配，使该蚀刻膏具有容易配制、较佳的印刷性、储存安定性佳且成本低的优点，且于蚀刻氧化铟锡系导电膜时，可有效地蚀刻氧化铟锡系导电膜，继而形成所诉求的图案化氧化铟锡系导电膜。
- 用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物-201310659872.4
- 权五炳;金童基;田玹守 - 东友精细化工有限公司
- 2013-12-09 - 2014-07-09 - C09K13/04
- 本发明公开一种用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物。所述用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物包括硝酸、盐酸和水，所述组合物能够快速且均匀地蚀刻所述金属氧化物层-透明的氧化物半导体，且制备简单，容易保管。
- 专利分类
