[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010692943.0 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112242448A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 岛行德;大野正胜;重信匠 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;李志强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层以及第一导电层。半导体层、第二绝缘层以及第一导电层依次层叠在第一绝缘层上。第一绝缘层具有依次层叠有第一绝缘膜、第二绝缘膜以及第三绝缘膜的叠层结构。第二绝缘层包含氧化物。第三绝缘膜具有接触于半导体层的部分。第一绝缘膜包含硅及氮。第二绝缘膜包含硅、氮及氧。第三绝缘膜包含硅及氧。半导体层包含铟及氧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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