[发明专利]蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010692644.7 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112242301A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 阿部知央;佐佐木俊行;林久贵;大村光広;今村翼 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法。实施方式的蚀刻方法具备交替地切换第1步骤与第2步骤的工序，所述第1步骤中，不供给高频电压地导入包含氟原子的第1气体，从而在以第1气体的液化温度以下的第1温度冷却的加工对象物的表面形成表面层，所述第2步骤中，导入不同于第1气体的在第1温度下为气体状态的第2气体，并供给高频电压，从第2气体产生等离子体并利用等离子体进行溅镀来蚀刻加工对象物。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
