[发明专利]三维存储器的形成方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器的形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤：形成第一堆叠层于衬底表面；形成连接层于所述第一堆叠层背离所述衬底的表面，所述连接层中具有暴露所述第一堆叠层的开口；沿所述开口刻蚀所述第一堆叠层，形成贯穿所述第一堆叠层的第一沟道孔，所述第一沟道孔的孔径小于所述开口的宽度；形成填充层于所述第一沟道孔和所述开口内。本发明简化了扩大连接层中开口尺寸的步骤，降低了三维存储器的制造难度。