[发明专利]一种含等离子体的气相沉积装置及其应用在审
申请号: | 202010558433.4 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN111850520A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 毕文超;高国华;姜小迪;袁方;吴广明;沈军;周斌 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/448;C23C16/455;C23C16/50 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 陈天宝 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种含等离子体的气相沉积装置及其应用,包括依次连接的进气系统、反应系统和废气处理系统;所述的进气系统向反应腔原位供应反应气体,进行气相沉积;所述反应系统中的反应腔内设有等离子体发生器和反应腔加热器,通过等离子控制器和温度控制显示器分别控制和实时监控等离子体发生器和反应腔内温度,对基底进行等离子体处理和气相沉积过程。与现有技术相比,本发明在较为简单的条件下利用等离子体技术对材料表面处理,并进行可控的气相沉积反应过程,满足了多层次制备新复合材料的技术需求;操作简单、反应条件温和、装置结构简单并且绿色环保。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 沉积 装置 及其 应用 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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