[发明专利]一种新型的沟槽型MOS势垒肖特基接触超势垒整流器在审
| 申请号： | 202010500880.4 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111668314A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;孙启明;冉晴月;高闻浩 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的沟槽型MOS势垒肖特基接触超势垒整流器，包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、顶部沟道、肖特基接触超级势垒整流器元包序列和上电极层。所述新型的沟槽型MOS势垒肖特基接触超势垒整流器属于超级势垒整流器类型，其肖特基接触超级势垒整流器元包序列部分能够使该器件获得更好的电性性能和热稳定性，其顶部沟道能够使该器件获得更好的正向浪涌可靠性能力并减小导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 沟槽 mos 势垒肖特基 接触 超势垒 整流器 | ||
【主权项】：
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