[发明专利]超级结器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010475492.5 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111540685A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结器件的制造方法，包括步骤：步骤一、形成栅极结构，栅极结构为沟槽栅，沟槽栅的形成工艺中采用多晶硅栅填充栅极沟槽后进行进行第一次平坦化使形成有沟槽栅的第一外延层的表面为平坦表面，在栅极结构的引出位置处的栅极沟槽的宽度满足形成接触孔的要求；步骤二、在形成有沟槽栅的表面平坦的第一外延层中形成超级结，超级结的形成工艺中采用第二外延层填充超级结沟槽后进行进行第二次平坦化使形成有超级结的第一外延层的表面为平坦表面。本发明能实现全平工艺，方便将沟槽栅工艺设置在超级结的形成工艺之前，能降低超级结形成之后的热过程，从而降低超级结的杂质互相扩散并从而提高器件性能，还能节约光罩，降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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