[发明专利]3D NAND存储器件的制造方法及3D NAND存储器件

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件的制造方法及3D NAND存储器件，台阶结构设置在堆叠结构的中间且其包括多个分区台阶结构、第一桥结构和第二桥结构，通过连接第一核心区和第二核心区的第一桥结构，以及分区台阶结构，实现了台阶结构的双边驱动，能从堆叠结构的中间往第一核心区和第二核心区中的存储阵列结构进行驱动，对应的驱动电阻降低，有效降低了驱动时间延迟问题；相邻两个第一桥结构通过至少一个第二桥结构连接，即相邻两个第一桥结构之间设有第二桥结构进行支撑缓冲，能有效缓解第一桥结构中堆叠的复合层与后续填充的氧化物之间的应力差异，提高了第一桥结构及台阶结构的结构稳定性。