[发明专利]太阳能电池缓冲层及其制备方法在审

申请号：	202010465963.4	申请日：	2020-05-28
公开（公告）号：	CN113745362A	公开（公告）日：	2021-12-03
发明（设计）人：	赵颖;李博研;孙祺;钟大龙	申请（专利权）人：	神华（北京）光伏科技研发有限公司
主分类号：	H01L31/0328	分类号：	H01L31/0328;H01L31/18;H01L21/02
代理公司：	北京润平知识产权代理有限公司 11283	代理人：	刘依云;乔雪微
地址：	102209 北京市昌平区北七家***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明涉及一种太阳能电池缓冲层及其制备方法，所述方法包括将生长基底放入含有锌源、络合剂、硫源和pH调节剂的混合液中进行接触，其中，在所述混合液中，锌源的浓度为0.045‑0.08mol/L，锌源、络合剂和硫源的摩尔比为1:(0.75‑1.25)：(3‑8)，混合液的pH值为10.3‑11。本发明在制备太阳能电池缓冲层的过程中，通过增大锌源浓度，精确控制混合溶液中的锌源、络合剂、硫源和pH调节剂的用量，可以提高Zn(O,S)薄膜的表面质量，降低O/(S+O)比值，从而改善缓冲层与薄膜太阳能电池吸收层界面的匹配性。
搜索关键词：	太阳能电池缓冲及其制备方法
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摘要：本发明涉及一种太阳能电池缓冲层及其制备方法，所述方法包括将生长基底放入含有锌源、络合剂、硫源和pH调节剂的混合液中进行接触，其中，在所述混合液中，锌源的浓度为0.045‑0.08mol/L，锌源、络合剂和硫源的摩尔比为1:(0.75‑1.25)：(3‑8)，混合液的pH值为10.3‑11。本发明在制备太阳能电池缓冲层的过程中，通过增大锌源浓度，精确控制混合溶液中的锌源、络合剂、硫源和pH调节剂的用量，可以提高Zn(O,S)薄膜的表面质量，降低O/(S+O)比值，从而改善缓冲层与薄膜太阳能电池吸收层界面的匹配性。

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摘要：本发明提供一种ZnMgGaO紫外探测器及其制备方法，其中的方法包括：S1、以有机锌化合物作为锌源，以有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，利用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底的表面生长ZnMgGaO薄膜；S2、在ZnMgGaO薄膜上使用负胶光刻形成叉指电极掩膜，溅射金属后将叉指电极掩膜去除，形成叉指电极；S3、在叉指电极上按压In粒，得到MSM结构的ZnMgGaO紫外探测器。与现有技术相比，本发明使用金属有机化合物化学气相沉积法制备ZnMgGaO薄膜，通过增加氧气流量、增加氧分压、减少氧缺陷的方式，使得制备的ZnMgGaO薄膜具有结晶质量高、不出现分相、吸收截止边陡峭等特点，进而使包含ZnMgGaO薄膜的紫外探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。

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摘要：本发明公开了一种石墨烯/AlGaAs多结异质太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池自下而上依次为：背面电极、多结半导体衬底(包括Ge电池、第一隧穿层、GaAs电池、第二隧穿层)、石墨烯/AlxGa1‑xAs层、正面电极。本发明的多结异质太阳能电池利用Ge、GaAs、AlxGa1‑xAs的帯隙不同，可对不同频率的太阳能分别吸收，从而显著提高太阳能电池的光电转换效率。此外，与传统多结太阳能电池相比，石墨烯与半导体形成异质结不需要晶格匹配，且顶电池可直接键合至多结半导体层衬底上，同时石墨烯与半导体形成的异质结具有更高的开路电压。本发明的多结异质太阳能电池具有转化效率高、工艺简单、便于推广的特点。

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摘要：本发明包括一种横向锗探测器结构及制备方法，其中，横向锗探测器结构为横向光电二极管，包括硅衬底；硅氧化层沉积于硅衬底的上表面；硅氧化层包括顶层硅；锗层形成于顶层硅的上表面，锗层包括锗层主体，以及由锗层主体分别向两侧延伸的第一延伸部与第二延伸部，于第一延伸部与第二延伸部分别形成第一掺杂区域与第二掺杂区域，于第一掺杂区域与第二掺杂区域的上表面分别形成第一电极与第二电极；氮化硅波导形成于锗层的上方，氮化硅波导为锥形结构。有益效果：通过改造锗层结构，有效增强氮化硅波导耦合至锗探测器的耦合效率，可以实现光复用器与光解复用器与锗探测器的有效集成，还可以应用于高光功率及高带宽的光电探测领域中。

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摘要：本发明公开了一种二维Ca1‑xInxSe合金及其制备方法及在制备光电探测中的应用，属于材料制备技术及高性能可见‑近红外光电探测器领域；合金的制备方法为：将硒粉和铟镓共熔合金放入石英舟中，抽真空，升温后保温，降温得块体合金材料；将SiO2/Si基底进行预处理；透明胶带粘贴块体合金材料，然后粘贴在处理后的基底上，浸泡在丙酮中，取出基底即可在其表面获得随机分布的二维Ca1‑xInxSe合金。制备的二维合金用于制备光电探测器，在可见‑近红外光照射下电流显著增加，合金具有很好的光电探测性能，光响应值高达应变系数高达258A/W，是GaSe光响应值的92倍。

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摘要：本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池，包括依次设置在衬底上的第一电极层、铜锌锡硫薄膜吸收层、缓冲层、窗口层和第二电极层，所述缓冲层为锌镉硫薄膜。其制备工艺中，通过应用化学水浴沉积工艺结合激光局部加热制备获得锌镉硫薄膜缓冲层。本发明的铜锌锡硫薄膜太阳能电池中，缓冲层采用ZnCdS薄膜，一方面可以提升CZTS薄膜太阳能电池的效率并且提高电池的短路电流，另一方面能够减少Cd的用量从而减低对环境的污染。

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发明人：濮毅德 -专利权人：吴中区穹窿山德毅新材料技术研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L31/0328
摘要：本发明提供一种高转换效率的超薄光电转换膜，涉及光电技术领域，所述高转换效率的超薄光电转换膜，由二氧化钛和硫化锌复合而成，所述二氧化钛的粒径为25～50nm，硫化锌的粒径为20～50nm，本发明的复合薄膜的光电转换性明显优于单一薄膜的光电转换性，且本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。

五氧化二钒光电探测器及其制备方法-201610565864.7
发明人：付文标;费广涛;张立德 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/0328
摘要：本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；方法是先使用水热法得到VO₂(A)纳米线，再将VO₂(A)纳米线和水混合后超声，得到VO₂(A)纳米线分散液，之后，先将VO₂(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO₂(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO₂(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其退火后，于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极，制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，极易于广泛地应用于光电探测领域。

光伏器件-201280049676.9
发明人：安德鲁·约翰逊;安德鲁·威廉·尼尔森;罗伯特·卡梅伦·哈伯 -专利权人： IQE公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L31/0328
摘要：一种光电器件，包括III-V族材料层(3)和IV族材料层(1)之间的界面(8)，以及位于或接近所述界面设置的薄的硅扩散阻挡层(6)。所述硅阻挡层限制V族原子到掺杂n型的IV族材料的扩散，从而其被n型掺杂。n型掺杂区域可以在IV族材料中提供具有优异的太阳能电池特性的p-n结。它也可以提供与III-V材料的p型区域相接触的隧道二极管该隧道二极管也有对太阳能电池有用。另一方面，提供一种多结光伏器件，其中包括至少一个硅锗或硅锗锡的第一光吸收层（111）以及硅锗锡的第二光吸收层（112），该两层均与砷化镓晶格匹配。

一种锌锰碲氧溶胶、中间带薄膜的制备方法及其应用-201310586470.6
发明人：吴孔平;蒋建彗;鲁开林;胡劲松;张亚;李良光;周孟然 -专利权人：安徽理工大学
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L31/0328
摘要：本发明涉及一种锌锰碲氧溶胶、中间带薄膜的制备方法及其应用，具体为：采用低温处理方法，以Mn(CH3COO)2·4H2O和Zn(CH3COO)2·2H2O为原料，添加稳定剂、分散剂、螯合剂、交联剂和去离子水，磁力搅拌充分溶解，与碲化三辛基膦溶液混合，滴加氨水调节pH值后，滴入Zn(NO3)2溶液混合，在240℃下反应，冷却得到溶胶；再将所得溶胶滴加在预先清洗好的单晶硅片上，均匀涂覆、红外加热，再经过300℃的热处理，重复滴加、涂覆、加热多次形成薄膜，最后，将将该薄膜在400℃下退火处理以改善表面性能。本发明采用的溶胶凝胶结合旋转涂敷技术，工艺简单、温度更低(约250℃)、适合于大面积生产。

一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜-201210331902.4
发明人：王志强;黄跃龙;高锦成;朱红兵;潘清涛;王颖;关峰;王光辉 -专利权人：保定天威薄膜光伏有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L31/0328
摘要：本发明公开了一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜，其包括至少一层n型微晶氧化硅层和至少一层n型微晶硅层，其中，n型微晶氧化硅（μc-SiOx:H）材料的折射率范围在1.5-2.5，薄膜总厚度范围在1纳米-150纳米。利用本发明，能够有效提高硅基薄膜太阳能电池短路电流密度和转化效率。此发明可以应用于硅基薄膜太阳能电池的工业生产。

全无机氧化物高效量子点太阳电池及其制作方法-201110388242.9
发明人：张宇;张佳全;于伟泳;王一丁;张铁强;林晓珑;冯毅 -专利权人：吉林大学
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/0328
摘要：本发明涉及一种新型全无机氧化物结构量子点太阳电池及其制作方法。该电池由PbSe/CdSe核壳量子点薄膜、NiO薄膜和ZnO纳米薄膜以及阳极和阴极组成，NiO薄膜作为空穴的收集层；ZnO纳米薄膜作为电子的收集层；PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与ZnO纳米薄膜界面构成异质结，形成的电势差有助于光生电子从PbSe/CdSe核壳量子点薄膜迁移进入氧化物电子收集层，PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与NiO薄膜界面构成异质结；阳极为ITO电极；阴极为Ag电极。其制作方法包括以下步骤：1、NiO薄膜的制备；2、PbSe/CdSe核壳量子点的合成与薄膜制备；3、ZnO纳米薄膜的制备；4、蒸镀电极。

一种薄膜太阳能模块-201120164336.3
发明人：马给民 -专利权人：东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光伏技术研究院有限公司;广东凯盛光电科技有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L31/0328
摘要：本实用新型公开了一种薄膜太阳能模块，在1.0毫米标准的钠钙玻璃基板上镀有0.35微米厚钼薄膜，钼薄膜上有1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜，铜铟镓硒薄膜上面镀有0.05微米厚的硫化镉，硫化镉上镀有无杂物的氧化锌绝缘层，氧化锌上镀有导电透明的氧化锌参铝，氧化锌参铝上表面镀镍，镍上面设铝膜，铝膜上面镀有保护铝的一层保护镍，保护镍上面镀有钠钙覆盖玻璃，避免和消除铜铟镓硒芯片内部针孔，生产过程中能够防止污染，降低了生产成本。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]太阳能电池缓冲层及其制备方法在审

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