“钟大龙”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]膜层物质的光谱联用分析方法及其应用-CN202010101162.X有效
发明人：孙瑶;宋斌斌;赵笑昆;钟大龙 -专利权人：神华（北京）光伏科技研发有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明涉及多层膜的光谱分析技术领域，公开一种膜层物质的光学常数和介电常数的测量方法及其应用。该测量方法包括：(1)对膜层物质进行深度剖析光谱测试，得到膜层物质沿厚度方向上的元素组成分布光谱数据；(2)对膜层物质进行椭圆偏振测试，得到膜层物质的椭偏参数；(3)根据所述元素组成分布光谱数据，构建所述膜层物质的层结构和确定各层结构的成分组成，建立所述膜层物质的结构模型；(4)根据菲涅尔公式，将所述膜层物质的结构模型和椭偏参数进行迭代拟合，得到光学常数和介电常数。本发明采用将深度剖析后的输出数据作为椭圆偏振光谱仪的测试输入，快速有效的将传递函数信息作为建模依据，实现各种多层膜结构的光学常数/介电常数获得。
物质光谱联用分析方法及其应用

[发明专利]增材制造系统及增材制造方法-CN201810002030.4有效
发明人： 钟大龙;魏斌;武颖娜;吴勇;翟梓融;昌海;L·T·拉希 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：一种增材制造系统，其特征在于，包括能量源装置和锻造装置。所述能量源装置用来提供第一能量束和第二能量束。所述锻造装置包括锻造头。所述第一能量束和基底可彼此相对移动用于熔融至少一部分添加至所述基底表面的打印材料以形成熔覆层。所述锻造头用来在形成所述熔覆层的过程中锻造所述熔覆层。所述第二能量束用于加热所述熔覆层的锻造区域。
制造系统方法

[发明专利]用于降低表面粗糙度的方法-CN201711250097.1有效
发明人：徐悟生;周宏;钟大龙;L·C·迪亚尔;L·B·库尔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C23C10/20 文献下载
摘要：通过以下步骤修改制品的表面：在第一温度使初始表面渗铝以形成第一渗铝层以及次层，移除该第一渗铝层的至少一部分，在第二温度使该次层渗铝以形成第二渗铝层，以及最后移除该第二渗铝层的至少一部分以形成经处理表面。该第二温度低于该第一温度，并且该经处理表面的粗糙度小于该初始表面的粗糙度。
用于降低表面粗糙方法

[发明专利]一种用于增材制造的温度控制系统和方法-CN201810030753.5有效
发明人：吴勇;昌海;王一枫;翟梓融;钟大龙;武颖娜;詹移民 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B23K9/04 文献下载
摘要：本发明涉及增材制造的温度控制系统和方法。该温度控制系统包括：熔覆装置，用来将材料熔化并形成熔覆层，该熔覆装置包括第一能量源，设置来使能量束指向材料，以将至少部分材料熔化以形成熔覆层；微锻装置，耦接到熔覆装置来对熔覆层进行锻造；检测装置，用于检测熔覆层的锻造位置在微锻装置锻造作用下的第一内效应参数；控制模块，接收检测装置检测到的第一内效应参数，并基于第一内效应参数来计算锻造位置的第一计算温度值；调整模块，耦接至第一能量源和微锻装置中的至少一个，接收第一计算温度值，当锻造位置的第一计算温度值不在期望温度范围内时，通过调整第一能量源和微锻装置中的至少一个使第一计算温度值落在期望温度范围内。
一种用于制造温度控制系统方法

[发明专利]电流收集系统及其制备装置和制备方法-CN202010692914.4在审
发明人：姜鑫先;李博研;黄星烨;林舒平;钟大龙 -专利权人：神华（北京）光伏科技研发有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种电流收集系统及其制备装置和制备方法，属于栅线制备技术领域。所述电流收集系统的制备装置包括：真空溅射镀膜单元，用于将溅射产生的金属沉积到组件与掩膜板的贴合位置以形成金属栅线；以及按压单元，设置在所述组件和所述掩膜板的上方且与所述掩膜板相接触，用于使得所述组件与所述掩膜板的表面保持贴合状态。本发明提供的电流收集系统的制备装置，通过设置按压单元以使得掩膜板能够与组件充分贴合，可以避免真空镀膜过程中的金属绕镀/浸润，通过上述方案制备的组件上的金属栅线能够与掩膜板形状和宽度保持一致，并且按压单元的存在可以有效解决组件表面不平整或者掩膜板形变等而影响金属线制备的问题。
电流收集系统及其制备装置方法

[发明专利]太阳能电池缓冲层及其制备方法-CN202010465963.4在审
发明人：赵颖;李博研;孙祺;钟大龙 -专利权人：神华（北京）光伏科技研发有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池缓冲层及其制备方法，所述方法包括将生长基底放入含有锌源、络合剂、硫源和pH调节剂的混合液中进行接触，其中，在所述混合液中，锌源的浓度为0.045‑0.08mol/L，锌源、络合剂和硫源的摩尔比为1:(0.75‑1.25)：(3‑8)，混合液的pH值为10.3‑11。本发明在制备太阳能电池缓冲层的过程中，通过增大锌源浓度，精确控制混合溶液中的锌源、络合剂、硫源和pH调节剂的用量，可以提高Zn(O,S)薄膜的表面质量，降低O/(S+O)比值，从而改善缓冲层与薄膜太阳能电池吸收层界面的匹配性。
太阳能电池缓冲及其制备方法

[发明专利]掩蔽元件中的孔并对元件进行处理的方法-CN201810127577.7有效
发明人：徐晟;古彦飞;钟大龙 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C25D13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩蔽元件中的孔并对元件进行处理的方法，所述元件包括开口于其表面的至少一个孔，所述方法包括：将所述元件放入包括掩蔽材料颗粒的电泳液中作为电极，向所述元件和所述元件的对电极施加电压，通过电泳作用使得所述电泳液中的掩蔽材料颗粒沉积到所述至少一个孔内，以掩蔽所述至少一个孔；对所述元件的表面进行处理；及将所述至少一个孔内的掩蔽材料去除。
掩蔽元件中的进行处理方法

[发明专利]增材制造与锻造结合的复合成形系统和方法-CN201711013952.7有效
发明人：翟梓融;钟大龙;武颖娜;魏斌;杨勇;陈晓宾 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B22F10/28 文献下载
摘要：本发明涉及增材制造系统及方法。所述系统包括材料输送器、能量源和微锻装置。所述材料输送器设置来输送材料。所述能量源设置来使能量束指向所述材料，该能量束将至少部分所述材料熔化以形成固化部分。所述微锻装置可与所述材料输送器一起移动来对所述固化部分进行锻造，其包括第一锻造锤头和第二锻造锤头，所述第一锻造锤头设置来对所述固化部分进行锤击并产生第一形变量，所述第二锻造锤头设置来对所述固化部分进行锤击并产生第二形变量，所述第二形变量大于所述第一形变量。
制造锻造结合复合成形系统方法

[发明专利]减反射复合膜及其制备方法和应用-CN201911112457.0在审
发明人：邱阳;李博研;钟大龙;宋斌斌;姜鑫先;张树旺;张波 -专利权人：神华（北京）光伏科技研发有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及减反射膜领域，公开了减反射复合膜及其制备方法和应用。所述减反射复合膜包含依次层叠的A膜层、第二材料膜，所述A膜层包含连续交替层叠的SiO2膜、第一材料膜，SiO2膜、第一材料膜的连续交替层叠次数大于等于4，其中，第一材料膜的折射率为1.95‑2.41，厚度为12‑150nm；所述SiO2膜的折射率为1.45‑1.47，厚度为12‑200nm；第二材料膜的折射率为1.35‑1.39，厚度为90‑120nm。本发明所述的减反射复合膜不仅具有较强的宽光谱减反射效果，而且在膜系设计及膜料选择上充分考虑薄膜的应力匹配问题，使各膜层间具有较高的界面结合强度，延长产品的使用寿命。
反射复合及其制备方法应用

[发明专利]一种薄膜纵向不均匀性检测方法、装置及终端和检测系统-CN201910273286.3在审
发明人：孙瑶;钟大龙;王新宇 -专利权人：神华（北京）光伏科技研发有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜纵向不均匀性检测方法、装置、检测系统以及终端，涉及薄膜检测技术领域，以提高无损检测薄膜纵向不均匀性方法的适用范围。该薄膜纵向不均匀性检测方法包括：接收被测样品的椭偏光谱曲线信息，被测样品至少包括被测薄膜；根据被测样品的特性建立各向同性的物理模型，物理模型至少包括薄膜模型；将薄膜模型所含有的至少一个变量参数转换为梯度化变量参数；以被测样品的椭偏光谱曲线信息为曲线拟合目标，利用薄膜模型对梯度化变量参数进行曲线拟合，获得被测样品的光电参数在被测样品纵向方向上的变化曲线信息；根据变化曲线信息确定被测样品的纵向不均匀性。本发明用于薄膜纵向不均匀性检测。
一种薄膜纵向不均匀检测方法装置终端系统

[发明专利]含有碱金属掺杂铜铟镓硒吸收层的太阳能电池-CN201910096032.9在审
发明人：宋斌斌;李博研;赵颖;邱阳;姜鑫先;张树旺;钟大龙 -专利权人：神华（北京）光伏科技研发有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及铜铟镓硒太阳能电池领域，具体涉及一种含有碱金属掺杂铜铟镓硒吸收层的太阳能电池。该太阳能电池包括由下至上依次设置的：衬底、阻挡层、背电极层、第一碱金属层、CIGS吸收层、第二碱金属层；所述CIGS吸收层的内部的碱金属含量为10‑90ppm，吸收层的表面的碱金属含量为100‑9000ppm；所述碱金属包括至少一种轻碱金属和至少一种重碱金属，所述轻碱金属为Li和/或Na，所述重碱金属为K、Rb和Cs中的至少一种。该太阳能电池具有转化效率高、工业制备重复性高、性能一致性好的特点。
含有碱金属掺杂铜铟镓硒吸收太阳能电池

[发明专利]含有碱金属掺杂铜铟镓硒吸收层的太阳能电池的制备方法及太阳能电池-CN201910096033.3在审
发明人：李博研;宋斌斌;赵颖;邱阳;姜鑫先;张树旺;钟大龙 -专利权人：神华（北京）光伏科技研发有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/385 文献下载
摘要：本发明涉及铜铟镓硒太阳能电池的制备方法领域，具体涉及一种含有碱金属掺杂铜铟镓硒吸收层的太阳能电池的制备方法及太阳能电池，该制备方法包括如下步骤：(1)在衬底上形成阻挡层；(2)在阻挡层的表面形成背电极层；(3)在背电极层表面形成第一碱金属层；(4)在第一碱金属层表面通过共蒸发形成CIGS吸收层；(5)在CIGS吸收层表面形成第二碱金属层；(6)将步骤(1)‑(5)形成的膜层在350‑450℃进行退火5‑30min。该制备方法具有提高太阳能电池的转化效率、提高铜铟镓硒吸收层的结晶效果，且制得的太阳能电池的一致性较好。
含有碱金属掺杂铜铟镓硒吸收太阳能电池制备方法

[发明专利]一种太阳能薄膜电池及制造方法-CN201910082055.4在审
发明人：姜鑫先;李博研;宋斌斌;赵颖;邱阳;张树旺;王新宇;钟大龙 -专利权人：神华（北京）光伏科技研发有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能薄膜电池及制造方法，涉及电池技术领域，在不降低组件有效透光面积的情况下，增加导电栅线与透明导电层的有效接触面积，降低接触电阻，提高电池转换效率，同时防止导电栅线被腐蚀，保证组件的长期可靠性。本发明由太阳能薄膜电池的第一表面到第二表面，至少包括依次设置的封装层、导电栅线、第一透明导电层以及光电转化组合叠层，封装层和第一透明导电层之间设有第二透明导电层，第二透明导电层为对应导电栅线设置的条状结构，第一透明导电层和第二透明导电层贴合，导电栅线被第一透明导电层和第二透明导电层包裹。本发明用于太阳能发电。
一种太阳能薄膜电池制造方法

[发明专利]薄膜太阳电池及薄膜太阳电池的制备方法-CN201910074166.0在审
发明人：张树旺;李博研;钟大龙;宋斌斌;邱阳;赵颖;姜鑫先;王新宇 -专利权人：神华（北京）光伏科技研发有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种薄膜太阳电池及薄膜太阳电池的制备方法。该薄膜太阳电池包括：衬底；背电极层，位于所述衬底上方；吸收层，位于所述背电极层上方；缓冲层，位于所述吸收层上方；前电极层，位于所述吸收层上方；以及第一划线区域，该第一划线区域延伸穿过所述吸收层及所述缓冲层，该第一划线区域内填充有导电材料，以及靠近所述背电极层的所述导电材料的宽度大于靠近所述前电极层的所述导电材料的宽度且大于第一预设宽度，其中，宽度为沿所述衬底的纵向上的尺寸。本发明可有效地扩大前电极层和背电极层之间的接触面积，从而相邻子电池之间形成更有效的互联，进而提高太阳能电池的整体转化效率。
薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]锻造头、锻造装置以及增材制造系统-CN201810001883.6在审
发明人：昌海;钟大龙;武颖娜;吴勇;翟梓融;王一枫 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： B21J13/06 文献下载
摘要：一种用于增材制造的锻造头，其特征在于，其包括基部和锻造部。所述锻造部从所述基部一端向下延伸，用于在增材制造形成熔覆层的过程中作用于所述熔覆层。所述锻造头还包括贯穿所述基部和所述锻造部的通孔，用于在形成所述熔覆层的过程中让能量束或者打印材料的至少一种通过。
锻造熔覆层基部打印材料锻造装置向下延伸制造系统能量束通孔制造贯穿

1
2
下一页»
尾页
共 22 条