[发明专利]一种高转换效率的超薄光电转换膜在审

申请号：	201611250468.1	申请日：	2016-12-30
公开（公告）号：	CN106847957A	公开（公告）日：	2017-06-13
发明（设计）人：	濮毅德	申请（专利权）人：	吴中区穹窿山德毅新材料技术研究所
主分类号：	H01L31/0328	分类号：	H01L31/0328;H01L21/02
代理公司：	北京华夏博通专利事务所(普通合伙)11264	代理人：	刘俊
地址：	215000 江苏省苏州市吴中***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明提供一种高转换效率的超薄光电转换膜，涉及光电技术领域，所述高转换效率的超薄光电转换膜，由二氧化钛和硫化锌复合而成，所述二氧化钛的粒径为25～50nm，硫化锌的粒径为20～50nm，本发明的复合薄膜的光电转换性明显优于单一薄膜的光电转换性，且本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。
搜索关键词：	一种转换效率超薄光电
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【主权项】：

一种高转换效率的超薄光电转换膜，其特征在于，由二氧化钛和硫化锌复合而成，所述二氧化钛的粒径为25～50nm，硫化锌的粒径为20～50nm。

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摘要：本发明提供一种高转换效率的超薄光电转换膜，涉及光电技术领域，所述高转换效率的超薄光电转换膜，由二氧化钛和硫化锌复合而成，所述二氧化钛的粒径为25～50nm，硫化锌的粒径为20～50nm，本发明的复合薄膜的光电转换性明显优于单一薄膜的光电转换性，且本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。

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摘要：一种光电器件，包括III-V族材料层(3)和IV族材料层(1)之间的界面(8)，以及位于或接近所述界面设置的薄的硅扩散阻挡层(6)。所述硅阻挡层限制V族原子到掺杂n型的IV族材料的扩散，从而其被n型掺杂。n型掺杂区域可以在IV族材料中提供具有优异的太阳能电池特性的p-n结。它也可以提供与III-V材料的p型区域相接触的隧道二极管该隧道二极管也有对太阳能电池有用。另一方面，提供一种多结光伏器件，其中包括至少一个硅锗或硅锗锡的第一光吸收层（111）以及硅锗锡的第二光吸收层（112），该两层均与砷化镓晶格匹配。

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发明人：王志强;黄跃龙;高锦成;朱红兵;潘清涛;王颖;关峰;王光辉 -专利权人：保定天威薄膜光伏有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L31/0328
摘要：本发明公开了一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜，其包括至少一层n型微晶氧化硅层和至少一层n型微晶硅层，其中，n型微晶氧化硅（μc-SiOx:H）材料的折射率范围在1.5-2.5，薄膜总厚度范围在1纳米-150纳米。利用本发明，能够有效提高硅基薄膜太阳能电池短路电流密度和转化效率。此发明可以应用于硅基薄膜太阳能电池的工业生产。

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申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/0328
摘要：本发明涉及一种新型全无机氧化物结构量子点太阳电池及其制作方法。该电池由PbSe/CdSe核壳量子点薄膜、NiO薄膜和ZnO纳米薄膜以及阳极和阴极组成，NiO薄膜作为空穴的收集层；ZnO纳米薄膜作为电子的收集层；PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与ZnO纳米薄膜界面构成异质结，形成的电势差有助于光生电子从PbSe/CdSe核壳量子点薄膜迁移进入氧化物电子收集层，PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与NiO薄膜界面构成异质结；阳极为ITO电极；阴极为Ag电极。其制作方法包括以下步骤：1、NiO薄膜的制备；2、PbSe/CdSe核壳量子点的合成与薄膜制备；3、ZnO纳米薄膜的制备；4、蒸镀电极。

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申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L31/0328
摘要：本实用新型公开了一种薄膜太阳能模块，在1.0毫米标准的钠钙玻璃基板上镀有0.35微米厚钼薄膜，钼薄膜上有1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜，铜铟镓硒薄膜上面镀有0.05微米厚的硫化镉，硫化镉上镀有无杂物的氧化锌绝缘层，氧化锌上镀有导电透明的氧化锌参铝，氧化锌参铝上表面镀镍，镍上面设铝膜，铝膜上面镀有保护铝的一层保护镍，保护镍上面镀有钠钙覆盖玻璃，避免和消除铜铟镓硒芯片内部针孔，生产过程中能够防止污染，降低了生产成本。

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申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L31/0328
摘要：光伏(PV)电池(10)包括第一导电层(12)、p型半导体层(14)和具有至少大约5μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)。该PV电池进一步包括n型半导体层(18)和第二导电层(22)。该大致上本征半导体层设置在该p型半导体层和该n型半导体层之间。还提供光伏电池(10)，其包含包括织构化衬底的第一导电层(12)和具有至少大约5μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]一种高转换效率的超薄光电转换膜在审

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