[发明专利]一种p型ZnO/Bi0.5在审

申请号：	202010307850.1	申请日：	2020-04-17
公开（公告）号：	CN113540332A	公开（公告）日：	2021-10-22
发明（设计）人：	姜鹏;尹力;包信和	申请（专利权）人：	中国科学院大连化学物理研究所
主分类号：	H01L35/16	分类号：	H01L35/16;H01L35/14;H01L35/34;H01L35/32
代理公司：	大连东方专利代理有限责任公司 21212	代理人：	毛薇;李馨
地址：	116000 辽宁***	国省代码：	辽宁;21
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摘要：	本发明公开了一种p型ZnO/Bi0.5Sb1.5Te3复合热电材料及其制备方法与应用，将ZnO和Bi0.5Sb1.5Te3原料研磨混合后，利用放电等离子体烧结的方法可制备该复合材料，制备工艺简单，成本低廉。该复合材料的p型导电类型通过赛贝克系数和霍尔系数测量确定，与n型ZnO基材料可分别作为ZnO基热电器件的p型和n型热电臂材料。通过改变原料Bi0.5Sb1.5Te3与ZnO的摩尔比，可调节赛贝克系数和电导率等参数，提升复合材料的热电性能，所制备的复合材料在可见光区域吸收强度优于ZnO，可用于制备ZnO基光探测材料或光催化材料。
搜索关键词：	一种 zno bi base sub 0.5
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摘要：一种高输出功率密度和能量转换效率的SnTe热电材料的制备方法，它涉及SnTe热电材料的制备方法。本发明要解决现有热电材料输出功率密度和能量转换效率不能同时提高的问题。制备方法：一、按照化学通式为(SnTe)2.94(In2Te3)0.02‑(Cu2Te)3x的化学计量比称取Sn粉、Te粉、In粉和Cu粉；二、将混合物置于高温马弗炉中，在高温度下保温，然后降温并保温，最后随炉冷，得到铸锭；三、将铸锭研磨并置于石墨模具中，在一定温度及压力下烧结，得到In‑Cu共掺杂SnTe热电材料。本发明适用于高输出功率密度和能量转换效率的SnTe热电材料的制备。

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摘要：本发明公开了一种可简便集成的柔性薄膜热电传感器及其应用，该热电传感器包括：柔性绝缘衬底以及依次沉积在柔性绝缘衬底上的底部电极、P型热电薄膜和N型热电薄膜，且P型热电薄膜、底部电极和N型热电薄膜首尾相接，呈“蛇形”沉积在柔性绝缘衬底上。本发明采用柔性绝缘衬底进行热电薄膜材料的沉积，满足温度传感器的柔性要求，适用于在复杂的应用环境中准确测温，在实际应用中，可以将温度传感器直接贴附于热源四周，通过塞贝克效应将温差的信号转换为电压的信号，具有极快的响应速度，无需外部供能，结构简单、工艺成本低、可靠性高，且能够产生较大的温差，灵敏度高。

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摘要：本发明涉及一种高性能p型双掺杂SnTe热电材料及其制备方法，其表达式为：Sn1.03‑2xMnxSbxTe，0.02≤x≤0.1，其通过以高纯度金属单质为原料，按所述的化学式的化学计量比进行配料，通过真空封装、熔融反应及热处理淬火后，研磨成粉末，进行真空高温SPS烧结，冷却后得到。与现有技术相比，本发明通过固溶Mn，Sb元素进入自补偿SnTe，使能带结构得到最优化，增大了点缺陷散射，获得超高性能SnTe基热电材料，操作简单高效，可重复性高，为其他体系热电材料实现性能的进一步优化提供了新的思路。

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摘要：本发明提供一种多晶SnSe基热电材料的制备方法。该方法通过熔炼制备SnSe基多晶铸锭，在铸锭球磨过程中加入Te、Se、Pb、Br、Sn、Sb、Bi中的一种或者几种作为烧结助剂，得到粉体，将粉体热压烧结为块体。该方法能够促进晶粒的再结晶和定向重新排列，提高晶粒取向度，优化SnSe基热电材料的织构度，从而提高了SnSe基热电材料的热电性能，具有良好的应用前景。

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摘要：本发明公开一种柔性复合热电薄膜及其制备方法与应用，制备方法包括步骤：将SnSe粉体加入到有机溶剂中，得到SnSe前驱体溶液；将有机聚合物粉体加入到SnSe前驱体溶液中，得到混合液；以混合液为纺丝液进行静电纺丝，煅烧后，得到柔性复合热电薄膜。本发明在纺丝液的制备过程中，SnSe前驱体和有机聚合物均匀混合在有机溶剂中，不存在材料成分聚集的问题；在静电纺丝过程中，溶剂挥发后得到包括SnSe前驱体和有机聚合物纤维的柔性复合热电薄膜前体，经过煅烧后，SnSe前驱体原位转变为SnSe纳米颗粒，均匀无聚集地分布在有机聚合物纤维的内部，解决了现有方法制备SnSe有机复合薄膜时SnSe纳米材料会在复合薄膜中产生聚集导致复合薄膜柔性、热电性能和稳定性较差的问题。

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发明人：高京门;朴哲熙;金玟冏;郑明珍;朴致成 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L35/16
摘要：本发明提供了可以用于热电材料、太阳能电池等的由以下化学式1表示的新化合物半导体材料、其制备方法、以及使用其的热电转换装置或太阳能电池。[化学式1]NdxSyCo4Sb12‑zQz，其中Q为选自O、Se和Te中的至少一者，条件是0x0.2，0y≤1以及0z12。

BiCuSeO/石墨烯复合热电材料及其制备方法和应用-202210656309.0
发明人：林元华;周志方;南策文 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L35/16
摘要：本发明公开了一种BiCuSeO/石墨烯复合热电材料及其制备方法和应用，其中，该BiCuSeO/石墨烯复合热电材料的化学表达式为Bi0.88Pb0.06Ca0.06CuSeO/石墨烯，该BiCuSeO/石墨烯复合热电材料具有较高的电导率，较低的热导率和较高的热电性能，具有广阔的应用前景。具体的，该BiCuSeO/石墨烯复合热电材料ZT值不低于1.13。

一种基于液相法合成Sb2-201910659238.8
发明人：吴玉程;李佳勇;向波;张琪;刘家琴;闫健 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L35/16
摘要：本发明公开了一种基于液相法合成Sb2Te3‑Te纳米异质结材料的热电性能提升方法，首先通过降低Sb2Te3溶剂热法反应温度，使合成的Sb2Te3中原位生长Te纳米线，使产物呈现Te纳米线串联六方盘型Sb2Te3的糖葫芦型形貌；再将合成的纳米粉体进一步氢气还原处理，通过放电等离子液相烧结得到块体材料。本发明通过降低反应温度，不仅实现了Sb2Te3‑Te纳米异质结的自组装生长，还克服了普通的机械复合Sb2Te3与Te的不均匀性问题以及弱界面结合问题。进一步研究其热电性能发现，Sb2Te3‑Te异质结显现出更优异的热电性能，其在498K时最高ZT值达～0.6，较纯Sb2Te3块体相比提升了69％。

一种Bi-Sb-Te-Se-S五元高熵合金及其制备方法-202010062808.8
发明人：葛振华;朱钰可;冯晶 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L35/16
摘要：本发明涉及热电材料技术领域，具体公开了一种Bi‑Sb‑Te‑Se‑S五元高熵合金及其制备方法，该高熵合金为p型热电材料，制备方法为取单质Bi、Sb、Te、Se和S，按照化学通式为Bi1.5Sb0.5TeSeS的化学计量比称重，球磨至粉末状混合物；将粉末状混合物采用放电等离子烧结得到Bi1.5Sb0.5TeSeS块体高熵合金，其中烧结的温度为200～500℃，烧结的时间为5～20min，烧结的压力为20～50MPa。采用本技术方案制备Bi1.5Sb0.5TeSeS热电材料，在缩短了热电材料的制备周期的同时，采用廉价的Se粉和S粉替换了部分较为昂贵的Te源，并且获得了较好的热电性能。

一种Bi2-202210209293.9
发明人：宋吉明;徐慧虹;梁小龙 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L35/16
摘要：本发明公开了一种Bi2O3复合SnTe热电材料的制备方法，属于能源转换领域。利用高温固相法、高温退火处理和快速热压工艺制备得到复合一定量Bi2O3‑SnTe的热电材料。首先按化学计量比称取Sn粉、Te粉，采用高温固相法制备SnTe样品，然后充分研磨后得SnTe粉末，再按照一定物质的量比例将Bi2O3与SnTe粉混合均匀，得到混合物粉末，之后进行高温退火处理，最后采用快速热压工艺对其进行热压烧结，制得复合0~2.5%mol Bi2O3‑SnTe热电材料。本发明制样工艺简单快捷，所得样品性质稳定、致密度高。本发明解决了传统SnTe热电材料塞贝克系数低、热导率较高的缺点，在整个测温区间材料的热电优值提高了36.1%。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L35-00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件
H01L35-02 .零部件
H01L35-12 .结点引出线材料的选择
H01L35-28 .只利用Peltier或Seebeck效应进行工作的
H01L35-34 .专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
H01L35-30 ..按在结点处进行热交换的方法区分的

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[发明专利]一种p型ZnO/Bi0.5在审

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