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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]含硫属元素的化合物、其制备方法以及包含其的热电元件-CN201880004598.8有效
发明人：金玟冏;闵裕镐;朴哲熙;高京门;朴致成;郑明珍 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N10/851 文献下载
摘要：本发明提供了由以下化学式1表示的新的含硫属元素化合物、用于制备其的方法以及包含其的热电元件，其中所述含硫属元素化合物即使在低温下、特别是在对应于热电元件的工作温度的温度下也表现出优异的相稳定性，并且由于其独特的晶格结构引起的优异的电导率和低的热导率还表现出显著更优的功率因数和热电性能指数：[化学式1]V1‑2xSn4Bi2‑xAg3xSe7，在上式1中，V为空位，0x0.5。
含硫属元素化合物制备方法以及包含热电元件

[发明专利]新的化合物半导体及其用途-CN201780083182.5有效
发明人： 高京门;朴哲熙;金玟冏;朴致成;郑明珍;闵裕镐 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N10/85 文献下载
摘要：本发明提供了由化学式1：SxCo4Sb12‑y‑zQySnz表示的新的化合物半导体。在化学式1中：Q包括O、Se和Te中的至少一者；x、y和z意指各元素的摩尔比，并且0＜x≤l、0＜y＜12、0＜z＜12、0＜y+z＜12且y≥3x。此外，本发明涉及新的化合物半导体材料及其制备方法，所述新的化合物半导体材料具有优异的电导率以及增强的热电性能指数，从而能够用于各种用途，例如热电转换装置、太阳能电池等的热电转换材料。
化合物半导体及其用途

[发明专利]用于柔性显示装置的覆盖窗和柔性显示装置-CN202080016874.X有效
发明人：朴真荣;李汉娜;高京门;许容准;张影来;都钟秀 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于柔性显示装置的覆盖窗和包括所述用于柔性显示装置的覆盖窗的柔性显示装置，所述用于柔性显示装置的覆盖窗包括：透光基底；以及分别形成在透光基底的两侧上的第一硬涂层和第二硬涂层，其中第一硬涂层和第二硬涂层各自具有其中酰胺C＝O峰与酯C＝O峰的比率在预定范围内的IR光谱。
用于柔性显示装置覆盖

[发明专利]含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件-CN201880006756.3有效
发明人：金玟冏;闵裕镐;朴哲熙;高京门;朴致成;金宰贤;郑明珍 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、用于制备其的方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物在对应于热电元件的驱动温度的温度下表现出优异的相稳定性，并且还通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数(ZT)。[化学式1]V1‑xMxSn4‑yPbyBi2Se7‑zTez，在上式1中，V为空位，M为碱金属，x大于0且小于1，y大于0且小于4，以及z大于0且小于或等于1。
含硫属元素化合物制备方法包含热电元件

[发明专利]含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件-CN201880005390.8有效
发明人：金玟冏;闵裕镐;朴哲熙;高京门;朴致成;郑明珍 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物在低温下、特别是在对应于热电元件的驱动温度的温度下表现出优异的相稳定性，并且还通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数。[化学式1]V1‑xMxSn4Bi2Se7‑yTey在上式1中，V为空位，M为碱金属，x大于0且小于1，以及y大于0且小于或等于1。
含硫属元素化合物制备方法包含热电元件

[发明专利]抗反射膜、偏光板和显示装置-CN202080004042.6有效
发明人： 高京门;边真锡;金昌五;张影来 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本公开涉及抗反射膜、包括所述抗反射膜的偏光板和显示装置，所述抗反射膜能够同时实现高的耐刮擦性和防污特性，并且提高显示装置的屏幕清晰度。
反射偏光显示装置

[发明专利]抗反射膜、偏光板和显示装置-CN201980012904.7有效
发明人：边真锡;高京门;李相宪;徐光锡;张影来 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及具有诸如高耐磨性和耐刮擦性的机械特性和优异的光学特性的抗反射膜，以及包括其的偏光板和显示装置。
反射偏光显示装置

[发明专利]抗反射膜、偏光板和显示装置-CN201980035545.7有效
发明人：边真锡;金素英;徐姃贤;金东炫;高京门;张影来 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明涉及抗反射膜、包括其的偏光板和显示装置，所述抗反射膜具有低反射率偏差和透光率偏差，可以同时实现高耐刮擦性和防污特性，并且可以提高显示装置的屏幕清晰度。
反射偏光显示装置

[发明专利]新化合物半导体及其用途-CN201880002373.9有效
发明人： 高京门;朴哲熙;金玟冏;郑明珍;朴致成 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供了可以用于热电材料、太阳能电池等的由以下化学式1表示的新化合物半导体材料、其制备方法、以及使用其的热电转换装置或太阳能电池。[化学式1]NdxSyCo4Sb12‑zQz，其中Q为选自O、Se和Te中的至少一者，条件是0x0.2，0y≤1以及0z12。
化合物半导体及其用途

[发明专利]抗反射膜-CN202180005501.7在审
发明人：边真锡;高京门;张影来 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G02B1/113 文献下载
摘要：本公开内容涉及抗反射膜，以及包括所述抗反射膜的偏光板、显示装置和有机发光二极管显示装置，所述抗反射膜包括：硬涂层；和低折射率层，其中在所述低折射率层中存在包含中空无机纳米颗粒和实心无机纳米颗粒二者并且具有1.5nm至22nm的厚度的颗粒混合层，以及其中所述抗反射膜在400nm波长下的反射率与在550nm波长下的反射率之比为1.3至2.7。
反射

[发明专利]抗反射膜-CN202180005502.1在审
发明人：边真锡;高京门;张影来 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G02B1/113 文献下载
摘要：本公开内容涉及抗反射膜，以及包括所述抗反射膜的偏光板、显示装置和有机发光二极管显示装置，所述抗反射膜包括：硬涂层；和低折射率层，其中在所述低折射率层中存在包含中空无机纳米颗粒和实心无机纳米颗粒二者并且具有1.5nm至22nm的厚度的颗粒混合层，以及其中所述抗反射膜的CIE Lab颜色空间中的b*值的绝对值为4或更小。
反射

[发明专利]新化合物半导体及其用途-CN201780018528.3有效
发明人： 高京门;金玟冏;朴哲熙;朴致成;郑明珍;闵裕镐 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种新化合物半导体和用于制备其的方法，所述新化合物半导体具有提高的热电优值以及优异的导电性，并且因此可以应用于多种用途，例如太阳能电池、热电转换装置的热电转换材料等。
化合物半导体及其用途

[发明专利]含有硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件-CN201880002728.4有效
发明人：闵裕镐;金玟冏;朴哲熙;高京门;朴致成;郑明珍 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及新的含有硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含有硫属元素的化合物即使在对应于热电元件的工作温度的温度下也表现出优异的相稳定性，并且具有高的输出因子和热电优值。
含有元素化合物制备方法包含热电元件

[发明专利]化合物半导体及其用途-CN201780025805.3有效
发明人： 高京门;朴哲熙;朴致成;金玟冏 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及新的化合物半导体及其用途，其中所述新的化合物半导体包含：Co‑Sb方钴矿化合物；包含在所述Co‑Sb方钴矿化合物的内部空隙中的Sn和S；和取代所述Co‑Sb方钴矿化合物的Sb的Q，以及所述新的化合物半导体表示为[化学式1]SnxSyCo4Sb12‑zQz(其中在化学式1中，Q为选自O、Se和Te中的一种或更多种，0x0.2，0y≤1以及0z12)，并且可以用于太阳能电池或热电材料等。
化合物半导体及其用途

[发明专利]光学层合体-CN202080023575.9在审
发明人：申娜英;罗钧日;边真锡;张影来;高京门 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2020-01-31 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B32B7/023 文献下载
摘要：本申请涉及光学层合体或抗变红层。本申请可以提供即使当在极其苛刻的条件(例如，非常高的温度条件)下驱动或保持时也不会引起所谓的变红现象的光学层合体，或者应用于其的抗变红层。
光学合体

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