[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010274214.3 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113363227A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 施信益;黄圣富 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/50;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括第一与第二衬底、第一与第二组件结构层、第一与第二介电层、硅穿孔结构、连接垫及第一与第二衬层。第一组件结构层位于第一与第二衬底之间。第二组件结构层位于第二衬底与第一组件结构层之间。第一介电层位于第一与第二组件结构层之间。第二介电层位于第二衬底上。硅穿孔结构位于第二介电层、第二衬底、第二组件结构层与第一介电层中。连接垫位于第二介电层的表面处且与硅穿孔结构连接。第一衬层位于硅穿孔结构与第二介电层、第二衬底及第二组件结构层之间。第二衬层位于硅穿孔结构的上部与第二介电层及部分第二衬底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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