[发明专利]具有页缓冲器的半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202010190508.8 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN112397124A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 吴星来;金东赫;朴泰成;丁寿男 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/24;G06F12/0882 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有页缓冲器的半导体存储器装置。公开了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置可包括：存储器单元阵列；以及高速缓存锁存器电路，其被配置为通过在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多条位线来与存储器单元阵列交换数据，并且包括布置成第一方向上的多列和第二方向上的多行的多个高速缓存锁存器。各个高速缓存锁存器可联接到多个输入/输出IO引脚中的任一个。同时联接到IO引脚的高速缓存锁存器可构成一个IO高速缓存锁存器单元。包括在一个IO高速缓存锁存器单元中的高速缓存锁存器可按2×2阵列单元布置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缓冲器 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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