[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010175930.6 申请日: 2020-03-13
公开(公告)号: CN111725075A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 横山脩平;杉町诚也;长谷川真纪;山口公辅;柴田祥吾 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495;H01L25/07
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明目的是提供可提高向基板的安装性的半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序:(a)准备引线框(9),引线框具有与2个端子连接的功率芯片用管芯焊盘(12)、与1个端子连接的控制元件用管芯焊盘(13)和将包含2个端子在内的多个端子间连结的系杆部(14、15);(b)将功率芯片(2)及续流二极管(3)载置于功率芯片用管芯焊盘(12),将IC(10、11)载置于控制元件用管芯焊盘(13);(c)以系杆部(14、15)露出至外部且包含2个端子以及1个端子在内的多个端子凸出至外侧的方式通过模塑树脂(8)进行封装;以及(d)以保留将2个端子连结的系杆部(14)的方式去除系杆部(14、15)。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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