[发明专利]GaN高电子迁徙率晶体管在审
| 申请号： | 202010158277.2 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111211163A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈显平;李万杰;王黎明;张旭;钱靖;吴灵美 | 申请（专利权）人： | 重庆平创半导体研究院有限责任公司;重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;王淑梅 |
| 地址： | 402760 重庆市璧山区璧泉*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN高电子迁徙率晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；掺杂层，设置在势垒层上；源极，设置在沟道层上，并位于势垒层的一侧；漏极，设置在沟道层上，并位于势垒层的另一侧；栅极，设置在掺杂层靠近漏极的一侧；其中，沟道层与势垒层的临界处靠近沟道层的一侧具有二维电子气，沟道层在源极处的高度大于沟道层在栅极处的高度。通过使沟道层在源极处的厚度大于沟道层在栅极处的厚度，使得晶体管通电时，高浓度2‑DEG的流向为自上而下，有效避免或减弱了源极漏极之间电场的作用，从而提高晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | gan 电子 迁徙 晶体管 | ||
【主权项】：
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