[发明专利]包括贯穿基底过孔的半导体器件在审
| 申请号： | 202010098518.9 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN112242365A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 朴明珠;黄载元;文光辰;朴建相 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/18;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；第一贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底，第一贯穿基底过孔具有第一高宽比；以及第二贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底。第二贯穿基底过孔具有大于第一高宽比的第二高宽比，并且第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个包括第一导电层和第二导电层。第一贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度小于第二贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 贯穿 基底 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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