[发明专利]一种具有多晶硅耐压层的逆导型RC-LIGBT器件在审
| 申请号： | 202010092684.8 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111276537A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 黄东;易波;孔谋夫;程骏骥;黄海猛;赵青;杨瑞丰;蔺佳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/07 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件领域，提供一种具有多晶硅耐压层的RC‑LIGBT器件；在传统RC‑IGBT器件基础上，在表面耐压区和氧化层上方引入多晶硅耐压层构成一个反并联二极管；在器件反向工作状态时，形成电流流通路径，使得器件具有反向导电能力；在器件正向工作时，优化了RC‑LIGBT导通压降和关断损耗的矛盾关系；更重要的是，在器件正向导通时，多晶硅耐压层构成的二极管反偏，因此本发明结构不会出现电压回折现象，提高了器件电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多晶 耐压 逆导型 rc ligbt 器件 | ||
【主权项】：
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