[发明专利]一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备在审
| 申请号： | 202010080527.5 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111341658A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘伟晨;韦亚一;张利斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备，涉及半导体制造技术领域，以提高图案化层状结构的生产效率和产率，降低成本。所述层图案化方法包括：提供基底，在基底上形成共混材料层；共混材料层含有可相分离的第一组分和第二组分。对共混材料层所含有的第一组分和第二组分进行分相，获得簇状分相层；簇状分相层包括至少一个第一团簇结构和至少一个第二团簇结构。去除簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构，获得图案化层状结构。所述层图案化方法用于制作半导体器件，所述半导体器件应用于电子设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 方法 半导体器件 集成电路 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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