[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202010069839.6 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN113224010A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈志谚;蔡信锠;吴俊仪;黄嘉庆;萧智仁;张维展;法兰斯沃·艾贝尔 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L23/495;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;孙乳笋 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包含基板、化合物半导体层、栅极结构、源极结构及漏极结构以及导电胶。化合物半导体层设置于基板上。栅极结构设置于化合物半导体层上。源极结构及漏极结构设置于栅极结构的两侧。并且，导电胶设置于基板以及引线框架之间，且导电胶延伸于基板的侧表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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