[发明专利]自支撑氮化镓层及其制作方法在审
| 申请号： | 202010059906.6 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111218643A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 刘仁锁;王颖慧;特洛伊·乔纳森·贝克;罗晓菊 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/04;C23C14/06;C23C16/02;C23C16/04;C23C16/34;C30B35/00;C30B29/38;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 200135 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种自支撑氮化镓层的制作方法，包括：提供支撑衬底；在支撑衬底的表面形成氮化物缓冲层；在氮化物缓冲层的表面形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内形成有若干个开口，开口暴露出氮化物缓冲层；于开口内及图形化掩膜层的表面形成氮化镓层，包括如下步骤：至少于开口内形成第一氮化镓层，第一氮化镓层为N型掺杂层或者半绝缘掺杂层；于第一氮化镓层上形成第二氮化镓层，第二氮化镓层为半绝缘掺杂层；将所得结构进行降温处理，以得到自支撑氮化镓层。本发明中掺杂的第一氮化镓层改变晶格取向倾向于横向生长，利于相邻开口内第一氮化镓层在图形化掩膜层弥合成片状，使得后续氮化镓层更容易剥离，提高了自支撑氮化镓层的结晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 氮化 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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