[发明专利]瞬态电压抑制二极管结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010051940.9 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN113140611A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 周启能;罗琇方;孙永安 | 申请（专利权）人： | 台湾茂矽电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种瞬态电压抑制二极管结构及其制造方法。其结构包括P型基层板、N型外延层、P+型植入层、N+型植入层、深层沟渠部、介电质层以及第一金属层。N型外延层设置于P型基层板。P+型植入层与N+型植入层，嵌设于N型外延层上，且彼此分离设置。深层沟渠部贯穿N型外延层，且具有彼此相对的第一端与第二端。第一端插置于P型基层板。介电质层设置于N型外延层上。第一金属层设置于介电质层上，且通过介电质层而连接至P+型植入层、N+型植入层以及深层沟渠部的第二端。其中深层沟渠部连接第一金属层，且组配架构一硅控整流器。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制 二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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