[发明专利]紫外光发光二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202010045945.0 申请日: 2020-01-16
公开(公告)号: CN111211209B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 林辉;刘召忠;蓝文新 申请(专利权)人: 江西新正耀光学研究院有限公司
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56;H01L33/48
代理公司: 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 代理人: 于淼
地址: 341700 江西省赣州*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 本申请公开了一种紫外光发光二极管及其制作方法,涉及发光二极管生产技术领域,包括:支架;二极管,二极管包括发光芯片、与发光芯片电连接的第一电极和第二电极,第一电极和第二电极位于发光芯片和支架之间;封装结构,封装结构包括至少一层封装层;封装层覆盖二极管远离支架的表面及侧面,且至少部分封装层与支架接触;封装结构的折射系数为θ,1.0≤θ≤1.8;保护层,保护层与二极管位于支架的同一侧,保护层环绕封装结构,保护层与支架接触。本申请通过设置封装结构和保护层,避免发光芯片被空气、水汽等腐蚀,而且能够提高紫外光发光二极管的出光效率。
搜索关键词: 紫外光 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
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